#FF200R12KE3 Infineon FF200R12KE3 ใหม่ IGBT โมดูล 1200V 200A DUAL ภาพ FF200R12KE3 ราคา FF200R12KE3 # ผู้จัดจำหน่าย FF200R12KE3
-----------------------
อีเมล: sales@shunlongwei.com
-----------------------
อีเมล: sales@shunlongwei.com
-----------------------
FF200R12KE3
ประเภทสินค้า: IGBT โมดูล FF200R12KE3
ผู้ผลิต: Infineon
RoHS: YES
การกำหนดค่า: คู่
นักสะสม - ตัวปล่อย แรงดันไฟฟ้า VCEO สูงสุด: V 1200
ความอิ่มตัวของคอลเลคเตอร์-อิมิตเตอร์ แรงดันไฟฟ้า: V 1.7
กระแสสะสมอย่างต่อเนื่องที่ 25 C: 200
Gate-Emitter กระแสไฟรั่ว: 400 นาโนเมตร
Pd - กำลังงานสูญเสีย: 1.05 กิโลวัตต์
แพ็คเกจ / เคส: IS5a (62 มม.) -7
อุณหภูมิในการทำงานสูงสุด: + 125 องศาเซลเซียส
ยี่ห้อ: เทคโนโลยี Infineon
ความสูง: 30.9 มม
ความยาว: 106.4 มม
ตัวปล่อยประตูสูงสุด แรงดันไฟฟ้า: +/- 20 โวลต์
อุณหภูมิการทำงานขั้นต่ำ: - 40 องศาเซลเซียส
รูปแบบการติด: สกรู
จำนวนแพ็คโรงงาน: 10
ความกว้าง: 61.4 มม
IGBT โมดูล 1200V 200A DUAL
Shunlongwei ตรวจสอบ FF200R12KE3 ทุกชิ้นก่อนจัดส่ง FF200R12KE3 ทั้งหมดพร้อมการรับประกัน 6 เดือน