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E-mail: sales@shunlongwei.com
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FF200R12KE3
Categoria Del Prodotto: IGBT Moduli FF200R12KE3
Produttore: Infineon
RoHS: SI
Configurazione: Doppio
Collettore-Emettitore voltaggio VCEO massimo: 1200 V
Saturazione collettore-emettitore voltaggio: 1.7 V
Corrente continua del collettore a 25 C: Il 200
Corrente di dispersione gate-emettitore: 400 n.a
Pd - Dissipazione di potenza: 1.05kW
Pacchetto / caso: IS5a (62 mm) -7
Temperatura operativa massima: + 125 Do
Marca: Infineon Technologies
Altezza: 30.9 mm
Lunghezza: 106.4 mm
Emettitore Gate massimo voltaggio: +/- 20 V
Temperatura operativa minima: - 40 C
Stile di montaggio: Vite
Quantità confezione di fabbrica: 10
Larghezza: 61.4 mm
IGBT Moduli 1200V 200A DOPPI
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