#FS75R12KE3G Infineon FS75R12KE3G Neu IGBT Module 1200V 75A 3-PHASE, FS75R12KE3G Bilder, FS75R12KE3G Preis, #FS75R12KE3G Lieferant
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E-Mail: sales@shunlongwei.com
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Hersteller: Infineon FS75R12KE3G
Produktkategorie: IGBT Module
RoHS: Nein
Marke: Infineon Technologies
Produkt: IGBT Siliziummodule
Konfiguration: Hex
Sammler-Emitter Spannung VCEO max: 1200 V.
Kollektor-Emitter-Sättigung Spannung: 1.7 V
Kontinuierlicher Kollektorstrom bei 25 ° C: 105 A.
Gate-Emitter-Leckstrom: 400 nA
Maximale Betriebstemperatur: + 125 C
Paket / Fall: EconoPACK 3B
Maximaler Gate-Emitter Spannung: +/- 20 V
Minimale Betriebstemperatur: - 40 C.
Montagestil: Schraube
Pd - Verlustleistung: 355 W.
Factory Pack Menge: 10
IGBT-Module 1200V 75A 3-PHASE
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