#FS75R12KE3G Infineon FS75R12KE3G Nouveau IGBT Modules 1200V 75A triphasé, images FS3R75KE12G, prix FS3R75KE12G, fournisseur #FS3R75KE12G
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Courriel: sales@shunlongwei.com
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Fabricant: Infineon FS75R12KE3G
Catégorie de produits: IGBT Modules
RoHS: Non
Marque: Infineon Technologies
Produit: IGBT Modules de silicium
Configuration: hexadécimal
Collecteur-émetteur Tension VCEO max: 1200 V
Saturation collecteur-émetteur Tension: 1.7 V
Courant de collecteur continu à 25 C: 105 A
Courant de fuite porte-émetteur: 400 nA
Température de fonctionnement maximale: + 125 C
Paquet / étui: EconoPACK 3B
Émetteur de porte maximum Tension: +/- 20V
Température de fonctionnement minimum: - 40 C
Style de montage: vis
Pd - Dissipation de puissance: 355 W
Quantité par emballage d'usine: 10
Modules IGBT 1200V 75A 3 PHASE
Shunlongwei inspecté chaque FS75R12KE3G avant expédition, tous les FS75R12KE3G avec 6 mois de garantie.