#FS75R12KE3G Infineon FS75R12KE3G ใหม่ IGBT โมดูล 1200V 75A 3 เฟสรูปภาพ FS75R12KE3G ราคา FS75R12KE3G # ผู้จัดจำหน่าย FS75R12KE3G
-----------------------
อีเมล: sales@shunlongwei.com
-----------------------
อีเมล: sales@shunlongwei.com
-----------------------
ผู้ผลิต: Infineon FS75R12KE3G
ประเภทสินค้า: IGBT โมดูล
มาตรฐาน RoHS: ไม่มี
แบรนด์: Infineon Technologies
สินค้า: IGBT โมดูลซิลิคอน
การกำหนดค่า: Hex
นักสะสม - ตัวปล่อย แรงดันไฟฟ้า VCEO สูงสุด: 1200 V.
ความอิ่มตัวของคอลเลคเตอร์-อิมิตเตอร์ แรงดันไฟฟ้า: 1.7 V
กระแสสะสมต่อเนื่องที่ 25 C: 105 A
Gate-Emitter กระแสไฟรั่ว: 400 nA
อุณหภูมิในการใช้งานสูงสุด: + 125 C
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์: EconoPACK 3B
ตัวปล่อยประตูสูงสุด แรงดันไฟฟ้า: +/- 20 โวลต์
อุณหภูมิในการทำงานขั้นต่ำ: - 40 C
รูปแบบการติด: สกรู
Pd - กำลังงานสูญเสีย: 355 W.
จำนวนแพ็คโรงงาน: 10
โมดูล IGBT 1200V 75A 3 เฟส
Shunlongwei ตรวจสอบ FS75R12KE3G ทุกชิ้นก่อนจัดส่ง FS75R12KE3G ทั้งหมดพร้อมรับประกัน 6 เดือน