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Email: sales@shunlongwei.com
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Fabricante: Infineon FS75R12KE3G
Categoria de Produto: IGBT Módulos
RoHS: Não
Marca: Infineon Technologies
Produto: IGBT Módulos de Silício
Configuração: Hex
Coletor- Emissor Voltagem VCEO Máx .: 1200 V
Saturação Coletor-Emissor Voltagem: 1.7 V
Corrente de coletor contínua a 25 C: 105 A
Corrente de vazamento de porta-emissor: 400 nA
Temperatura máxima de operação: + 125 C
Pacote / Estojo: EconoPACK 3B
Emissor máximo de porta Voltagem: +/- 20V
Temperatura Mínima de Operação: - 40 C
Estilo de montagem: parafuso
Pd - Dissipação de energia: 355 W
Quantidade do pacote de fábrica: 10
Módulos IGBT 1200V 75A 3-FASE
Shunlongwei inspecionado todos os FS75R12KE3G antes do envio, todos os FS75R12KE3G com 6 meses de garantia.