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Das CM1000DXL-24S ist ein IGBT (Bipolar mit isoliertem Gate Transistor) Modulen hergestellt von Mitsubishi Electric.
Nennleistung: Der CM1000DXL-24S ist für einen maximalen Kollektorstrom ausgelegt (IC) :1000A.
Spannung Bewertung: Es hat einen maximalen Kollektor-Emitter Spannung (VCE)-Nennwert von 1200 V, wodurch hohe Spannungspegel bewältigt werden können.
IGBT Technologie: Das Modul nutzt fortgeschrittene IGBT Technologie, die die Vorteile beider vereint MOSFET und bipolarer Übergang Transistor (BJT), um hohe Schaltgeschwindigkeiten und geringe Leitungsverluste zu erreichen.
Niedrige Sättigungsspannung: Der CM1000DXL-24S weist eine niedrige Sättigungsspannung auf, was zu geringeren Leistungsverlusten während der Leitung führt.
Hohe Schaltfrequenz: Es ist für den Betrieb mit hohen Schaltfrequenzen ausgelegt und ermöglicht so ein effizientes und schnelles Schalten der IGBTs.
Integrierte Schutzfunktionen: Das Modul verfügt über verschiedene Schutzfunktionen mit Kurzschluss-Schaltung Schutz, Temperaturüberwachung und Unterspannungssperre (UVLO), um einen sicheren und zuverlässigen Betrieb zu gewährleisten.
Pakettyp: Der CM1000DXL-24S ist in einem Modulformat verpackt, das die IGBT-Chips, die Gate-Treiberschaltung und andere notwendige Komponenten umfasst. Dieses Paket bietet einfache Installation und Wärmemanagement.
Anwendungen: Dieses IGBT-Modul wird häufig in industriellen Anwendungen wie Motorantrieben, Leistungswandlern, Systemen für erneuerbare Energien, Traktionssystemen und anderen elektronischen Hochleistungssystemen verwendet.
Der CM1000DXL-24S bietet eine hohe Belastbarkeit, effiziente Schaltleistung und robuste Schutzfunktionen und eignet sich somit für anspruchsvolle Anwendungen, die eine zuverlässige und effiziente Leistungssteuerung erfordern.