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I CM1000DXL-24S offre IGBT (Insulated Gate Bipolare Transistor) modulo prodotto da Mitsubishi Electric.
Potenza nominale: CM1000DXL-24S è valutato per una corrente massima del collettore (IC): 1000A.
voltaggio Valutazione: Ha un collettore-emettitore massimo voltaggio (VCE) nominale di 1200 V, che gli consente di gestire livelli di alta tensione.
IGBT Tecnologia: Il modulo utilizza funzionalità avanzate IGBT tecnologia, che combina i vantaggi di entrambi mosfet e giunzione bipolare Transistor (BJT) per ottenere elevate velocità di commutazione e basse perdite di conduzione.
Bassa tensione di saturazione: il CM1000DXL-24S mostra una bassa tensione di saturazione, con conseguente riduzione delle perdite di potenza durante la conduzione.
Frequenza di commutazione elevata: è progettato per funzionare a frequenze di commutazione elevate, consentendo una commutazione efficiente e rapida degli IGBT.
Funzioni di protezione integrate: il modulo incorpora varie funzioni di protezione, concircuito protezione, monitoraggio della temperatura e blocco per sottotensione (UVLO), per garantire un funzionamento sicuro e affidabile.
Tipo di confezione: il CM1000DXL-24S è confezionato in un formato di modulo, che include i chip IGBT, i circuiti di pilotaggio del gate e altri componenti necessari. Questo pacchetto offre facilità di installazione e gestione termica.
Applicazioni: questo modulo IGBT è comunemente utilizzato in applicazioni industriali come azionamenti di motori, convertitori di potenza, sistemi di energia rinnovabile, sistemi di trazione e altri sistemi elettronici ad alta potenza.
Il CM1000DXL-24S offre un'elevata capacità di gestione dell'alimentazione, prestazioni di commutazione efficienti e solide funzioni di protezione, che lo rendono adatto ad applicazioni impegnative che richiedono un controllo dell'alimentazione affidabile ed efficiente.