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Der 7MBR25SA120-50 ist ein IGBT (Bipolar mit isoliertem Gate Transistor) Modulen hergestellt von Fuji Electric. Es ist für Hochleistungsanwendungen konzipiert, die effizientes Schalten und hohe Leistung erfordern Spannung Fähigkeit. Hier sind einige wichtige Funktionen und Spezifikationen des 7MBR25SA120-50:
Nennleistung: Der 7MBR25SA120-50 ist für einen maximalen Kollektorstrom ausgelegt (IC) von 25 A, wodurch es für Anwendungen mit mittlerer bis hoher Leistung geeignet ist.
Spannung Nennleistung: Die maximale Kollektor-Emitter-Spannung (VCE) beträgt 1200 V, wodurch hohe Spannungspegel bewältigt werden können.
IGBT Technologie: Das Modul nutzt fortgeschrittene IGBT Technologie, die die Vorteile beider vereint MOSFET und bipolarer Übergang Transistor (BJT), um hohe Schaltgeschwindigkeiten und geringe Leitungsverluste zu erreichen.
Niedrige Sättigungsspannung: Der 7MBR25SA120-50 weist eine niedrige Sättigungsspannung auf, was zu geringeren Leistungsverlusten während der Leitung führt.
Hohe Schaltfrequenz: Es ist für den Betrieb mit hohen Schaltfrequenzen ausgelegt und ermöglicht so ein effizientes und schnelles Schalten der IGBTs.
Gehäusetyp: Der 7MBR25SA120-50 ist in einem Modulformat verpackt, das die IGBT-Chips, die Gate-Treiberschaltung und andere notwendige Komponenten umfasst. Dieses Paket bietet einfache Installation und Wärmemanagement.
Anwendungen: Dieses IGBT-Modul wird häufig in verschiedenen industriellen Anwendungen wie Motorantrieben, Stromrichtern, unterbrechungsfreien Stromversorgungen (USV), Systemen für erneuerbare Energien und anderen elektronischen Hochleistungssystemen verwendet.
Der 7MBR25SA120-50 bietet eine Kombination aus hoher Belastbarkeit, effizienter Schaltleistung und zuverlässigen Schutzfunktionen. Es eignet sich gut für Anwendungen, die Hochspannungs- und Hochstromschaltungen mit optimaler Leistungseffizienz erfordern.