O Mitsubishi PM100RSE120 é um carro de alto desempenho IGBT módulo apresentando vários recursos e características avançadas.
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Aqui estão os principais recursos do módulo PM100RSE120:
- Planar de Quarta Geração IGBT Chip: O módulo utiliza um novo planar de 4ª geração IGBT chip, fabricado usando um processo fino de regra de 1 μm. Esse tecnologia aumenta o desempenho e a eficiência do módulo.
- Diodo de recuperação reversa suave: O módulo incorpora um novo diodo projetado para obter características de recuperação reversa suave. Este diodo garante transições de comutação suaves e minimiza Voltagem picos durante a operação.
- IGBT de detecção de corrente: É um Trifásico Módulo IGBT de detecção de corrente de 100 A, 1200 V projetado especificamente para aplicações de comutação de 15 kHz. Isso o torna adequado para várias aplicações de eletrônica de potência, como controle de motores e fontes de alimentação.
- IGBT de frenagem regenerativa de detecção de corrente: O módulo também inclui um IGBT de detecção de corrente de 50 A, 1200 V projetado especificamente para aplicações de frenagem regenerativa. Esse recurso permite a recuperação eficiente de energia nos sistemas de frenagem.
- Lógica de proteção e acionamento de portão monolítico: O PM100RSE120 integra um circuito de acionamento de portão monolítico junto com a lógica de proteção. Este projeto simplifica a instalação e a fiação do módulo, ao mesmo tempo em que fornece funções essenciais de proteção contra sobrecorrente, curto-circuitoo circuito, sobretemperatura e sub-Voltagem condições.
- Circuitos de Detecção, Proteção e Indicação de Status: O módulo possui circuitos para detecção e proteção contra sobrecorrente, curto-circuitoo circuito, sobretemperatura e condições de subtensão. Além disso, fornece indicação de status para facilitar o monitoramento e diagnóstico.
- Baixo Ruído Acústico: O módulo é projetado para operar silenciosamente, tornando-o adequado para aplicações de inversores de classe 18.5/22kW onde baixo ruído é desejado.
Aqui estão as classificações e características máximas do módulo PM100RSE120:
- Tensão Coletor-Emissor (Vces): 1200V
- Tensão Gate-Emissor (VGES): ±20V
- Corrente do Coletor (IC): 100A
- Corrente do Coletor (Icp): 200A
- Dissipação de energia do coletor (Pc): 595W
- Tensão Coletor-Emissor (VCES): 2500V
- Temperatura da Junção Operacional (Tj): +150°C
- Temperatura de armazenamento (Tstg): -40 a +125°C
- Torque do parafuso de montagem: 3.5 * 1 N·m
Essas especificações destacam os limites de tensão, corrente, dissipação de energia e temperatura do módulo para uma operação segura e confiável.
