Mitsubishi PM100RSE120 — это высокопроизводительный IGBT модуль с несколькими расширенными функциями и характеристиками.
Продажа Email: sales@shunlongwei.com
Вот основные характеристики модуля PM100RSE120:
- Планар четвертого поколения IGBT Чип: В модуле используется новый планар 4-го поколения. IGBT чип, изготовленный с использованием тонкого процесса 1 мкм. Этот technology повышает производительность и эффективность модуля.
- Диод мягкого обратного восстановления: модуль включает новый диод, предназначенный для достижения характеристик мягкого обратного восстановления. Этот диод обеспечивает плавные переходы переключения и минимизирует напряжение шипы во время работы.
- IGBT с измерением тока: это Трехфазный 100A, 1200V чувствительный к току модуль IGBT, специально разработанный для коммутационных приложений 15kHz. Это делает его пригодным для различных приложений силовой электроники, таких как управление двигателем и источники питания.
- IGBT с рекуперативным торможением с измерением тока: модуль также включает IGBT с измерением тока на 50 А, 1200 В, специально разработанный для приложений с рекуперативным торможением. Эта функция позволяет эффективно рекуперировать энергию в тормозных системах.
- Монолитный привод затвора и логика защиты: PM100RSE120 объединяет монолитную схему привода затвора вместе с логикой защиты. Такая конструкция упрощает установку и подключение модуля, обеспечивая при этом основные функции защиты от перегрузки по току, короткого замыкания.схема, перегрев и недостаточнаянапряжение условиях.
- Цепи обнаружения, защиты и индикации состояния: модуль имеет цепи для обнаружения и защиты от перегрузки по току, короткого замыкания.схема, перегрев и пониженное напряжение. Кроме того, он обеспечивает индикацию состояния для облегчения мониторинга и диагностики.
- Низкий акустический шум: модуль разработан для бесшумной работы, что делает его пригодным для инверторов класса 18.5/22 кВт, где требуется низкий уровень шума.
Вот максимальные номиналы и характеристики модуля PM100RSE120:
- Напряжение коллектор-эмиттер (Vces): 1200 В
- Напряжение затвор-эмиттер (VGES): ± 20 В
- Ток коллектора (IC): 100А
- Ток коллектора (Icp): 200А
- Рассеиваемая мощность коллектора (ПК): 595 Вт
- Напряжение коллектор-эмиттер (ВКЭС): 2500В
- Рабочая температура перехода (Tj): +150°C
- Температура хранения (Tstg): от -40 до +125°C
- Момент затяжки монтажного винта: 3.5 * 1 Н·м
В этих спецификациях указаны предельные значения напряжения, тока, рассеиваемой мощности и температуры модуля для безопасной и надежной работы.
