RENESAS HM62G36256ABP30 Auf Lager

Aktualisierung: 6. März 2024 Stichworte:icTechnologie

#HM62G36256ABP30 RENESAS HM62G36256ABP30 Neuer Late-Write SRAM, 256KX36, 1.7ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, 1.27 MM PITCH, BGA-119, HM62G36256ABP30 Bilder, HM62G36256ABP30 Preis, #HM62G36256ABP30 Lieferant
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E-Mail: sales@shunlongwei.com
https://www.slw-ele.com/hm62g36256abp30.html

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Hersteller-Teilenummer: HM62G36256ABP-30
Teilelebenszykluscode: Übertragen
Ihs Hersteller: HITACHI LTD
Teilepaketcode: BGA
Packungsbeschreibung: BGA, BGA119,7X17,50
Pin-Anzahl: 119
ECCN-Code: 3A991.B.2.A
HTS-Code: 8542.32.00.41
Hersteller: Hitachi Ltd.
Risikorang: 5.64
Zugriffszeit-Max: 1.7 ns
E / A-Typ: GEMEINSAM
JESD-30-Code: R-PBGA-B119
Länge: 22 mm
Speicherdichte: 9437184 Bit
Memory IC Typ: LATE-WRITE SRAM
Speicherbreite: 36
Anzahl der Funktionen: 1
Anzahl der Terminals: 119
Anzahl der Wörter: 262144 Wörter
Anzahl der Wörter Code: 256000
Betriebsmodus: SYNCHRON
Betriebstemperatur-Max: 70 ° C.
Organisation: 256KX36
Ausgabeeigenschaften: 3-STATE
Gehäusematerial: KUNSTSTOFF / EPOXY
Paketcode: BGA
Paket-Äquivalenzcode: BGA119,7X17,50
Verpackungsform: RECHTECKIG
Verpackungsart: GRID ARRAY
Parallel / Seriell: PARALLEL
Netzteile: 2.5,3.3 V.
Qualifikationsstatus: Nicht qualifiziert
Sitzhöhe-Max: 2.24 mm
Standby-Strom-Max: 0.1 A.
Bereithalten Spannung-Min: 3.14 V.
Unterkategorie: SRAMs
Versorgungsstrom-Max: 0.6 mA
Versorgung Spannung-Max (Vsup): 2.63 V.
Versorgung Spannung-Min (Vsup): 2.38 V.
Versorgung Spannung-Nom (Vsup): 2.5 V
Oberflächenmontage: JA
Technologie: CMOS
Temperaturstufe: GEWERBLICH
Terminalform: BALL
Anschlussabstand: 1.27 mm
Klemmenposition: UNTEN
Breite: 14 mm
Late-Write-SRAM, 256KX36, 1.7 ns, CMOS, PBGA119, 14 x 22 MM, 1.27 MM PITCH, BGA-119