#HM62G36256ABP30 RENESAS HM62G36256ABP30 Nueva SRAM de escritura tardía, 256KX36, 1.7ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, 1.27 MM PITCH, BGA-119, HM62G36256ABP30 imágenes, HM62G36256ABP30 precio, # HM62G36256ABP30 proveedor
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Correo electrónico: sales@shunlongwei.com
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https://www.slw-ele.com/hm62g36256abp30.html
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Número de parte del fabricante: HM62G36256ABP-30
Código de ciclo de vida de la pieza: transferido
Fabricante de IHS: HITACHI LTD
Código del paquete de piezas: BGA
Descripción del paquete: BGA, BGA119,7X17,50
Recuento de pines: 119
Código ECCN: 3A991.B.2.A
Código HTS: 8542.32.00.41
Fabricante: Hitachi Ltd
Rango de riesgo: 5.64
Tiempo de acceso máximo: 1.7 ns
Tipo de E / S: COMÚN
Código JESD-30: R-PBGA-B119
Longitud: 22 mm
Densidad de memoria: 9437184 bit
Salud Cerebral IC Tipo: SRAM LATE-WRITE
Ancho de memoria: 36
Número de funciones: 1
Número de terminales: 119
Número de palabras: 262144 palabras
Código de número de palabras: 256000
Modo de funcionamiento: SINCRÓNICO
Temperatura de funcionamiento máxima: 70 ° C
Organización: 256KX36
Características de salida: 3 ESTADOS
Material del cuerpo del paquete: PLÁSTICO / EPOXI
Código del paquete: BGA
Código de equivalencia del paquete: BGA119,7X17,50
Forma del paquete: RECTANGULAR
Estilo del paquete: GRID ARRAY
Paralelo / Serie: PARALELO
Fuentes de alimentación: 2.5,3.3 V
Estado de calificación: no calificado
Altura sentado-Max: 2.24 mm
Corriente en espera-Máx .: 0.1 A
en espera voltaje-Mín: 3.14 V
Subcategoría: SRAM
Corriente de suministro máxima: 0.6 mA
Suministro voltaje-Máx (Vsup): 2.63 V
Suministro voltaje-Mín (Vsup): 2.38 V
Suministro voltaje-Nom (Vsup): 2.5 V
Montaje en superficie: SÍ
Tecnología: CMOS
Grado de temperatura: COMERCIAL
Forma de terminal: BOLA
Paso de terminal: 1.27 mm
Posición terminal: INFERIOR
Ancho: 14 mm
SRAM de escritura tardía, 256KX36, 1.7ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, PITCH de 1.27 MM, BGA-119
Código de ciclo de vida de la pieza: transferido
Fabricante de IHS: HITACHI LTD
Código del paquete de piezas: BGA
Descripción del paquete: BGA, BGA119,7X17,50
Recuento de pines: 119
Código ECCN: 3A991.B.2.A
Código HTS: 8542.32.00.41
Fabricante: Hitachi Ltd
Rango de riesgo: 5.64
Tiempo de acceso máximo: 1.7 ns
Tipo de E / S: COMÚN
Código JESD-30: R-PBGA-B119
Longitud: 22 mm
Densidad de memoria: 9437184 bit
Salud Cerebral IC Tipo: SRAM LATE-WRITE
Ancho de memoria: 36
Número de funciones: 1
Número de terminales: 119
Número de palabras: 262144 palabras
Código de número de palabras: 256000
Modo de funcionamiento: SINCRÓNICO
Temperatura de funcionamiento máxima: 70 ° C
Organización: 256KX36
Características de salida: 3 ESTADOS
Material del cuerpo del paquete: PLÁSTICO / EPOXI
Código del paquete: BGA
Código de equivalencia del paquete: BGA119,7X17,50
Forma del paquete: RECTANGULAR
Estilo del paquete: GRID ARRAY
Paralelo / Serie: PARALELO
Fuentes de alimentación: 2.5,3.3 V
Estado de calificación: no calificado
Altura sentado-Max: 2.24 mm
Corriente en espera-Máx .: 0.1 A
en espera voltaje-Mín: 3.14 V
Subcategoría: SRAM
Corriente de suministro máxima: 0.6 mA
Suministro voltaje-Máx (Vsup): 2.63 V
Suministro voltaje-Mín (Vsup): 2.38 V
Suministro voltaje-Nom (Vsup): 2.5 V
Montaje en superficie: SÍ
Tecnología: CMOS
Grado de temperatura: COMERCIAL
Forma de terminal: BOLA
Paso de terminal: 1.27 mm
Posición terminal: INFERIOR
Ancho: 14 mm
SRAM de escritura tardía, 256KX36, 1.7ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, PITCH de 1.27 MM, BGA-119