르네사스 HM62G36256ABP30 재고 있음

#HM62G36256ABP30 RENESAS HM62G36256ABP30 새로운 후기 쓰기 SRAM, 256KX36, 1.7ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, 1.27 MM PITCH, BGA-119, HM62G36256ABP30 사진, 62AB36256 공급업체 가격
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이메일 : sales@shunlongwei.com

https://www.slw-ele.com/hm62g36256abp30.html

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제조업체 부품 번호: HM62G36256ABP-30
부품 수명주기 코드 : 전송 됨
IHS 제조업체 : HITACHI LTD
부품 패키지 코드 : BGA
패키지 설명: BGA, BGA119,7X17,50
Pin Count : 119
ECCN 코드: 3A991.B.2.A
HTS 코드 : 8542.32.00.41
제조업체 : Hitachi Ltd
위험 순위 : 5.64
최대 액세스 시간 : 1.7ns
I / O 유형 : 공통
JESD-30 코드 : R-PBGA-B119
길이: 22mm
메모리 밀도 : 9437184 비트
메모리 IC 유형: 후기 쓰기 SRAM
메모리 폭 : 36
함수의 수 : 1
터미널 수 : 119
단어 수 : 262144 단어
단어 수 코드 : 256000
작동 모드 : 동시
작동 온도-최대 : 70 ° C
조직 : 256KX36
출력 특성 : 3- 상태
패키지 본체 재질 : 플라스틱 / 에폭시
패키지 코드 : BGA
패키지 등가 코드 : BGA119,7X17,50
패키지 모양 : 직사각형
패키지 스타일 : GRID ARRAY
병렬 / 직렬 : PARALLEL
전원 공급 장치 : 2.5,3.3V
자격 상태 : 자격 없음
최대 장착 높이 : 2.24mm
대기 전류-최대 : 0.1 A
대기 전압-최소 : 3.14V
하위 범주 : SRAM
공급 전류-최대 : 0.6mA
혁신기술 전압-최대 (Vsup) : 2.63V
혁신기술 전압-최소 (Vsup) : 2.38V
혁신기술 전압-Nom (Vsup) : 2.5V
표면 실장 : 예
Technology: CMOS
온도 등급 : COMMERCIAL
터미널 형태 : BALL
터미널 피치 : 1.27mm
터미널 위치 : BOTTOM
폭: 14mm
후기 쓰기 SRAM, 256KX36, 1.7ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22MM, 1.27MM 피치, BGA-119