Semikron SKM200GAL125D Auf Lager

#SKM200GAL125D Semikron SKM200GAL125D Neuer TRANSISTOR IGBT MagXNUMX MODULE UNABHÄNGIGE 1.2 kV V(BR)CES 200A I(C), SKM200GAL125D Bilder, SKM200GAL125D Preis, #SKM200GAL125D Lieferant
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E-Mail: sales@shunlongwei.com

https://www.slw-ele.com/skm200gal125d.html

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SKM200GAL125D Eigenschaften:
.N Kanal, homogen
.Si Gehäuse mit niedriger Induktivität
Kurzer Schwanzstrom mit geringer Temperaturabhängigkeit
Hohe Kurzschlussfähigkeit, selbstlimitierend auf 6 x I cnom
Schnelle und weiche inverse CAL-Dioden Isolierte Kupfergrundplatte mit
.DCB Direct Copper Bonding Technologie
Großes Spiel (13 mm) und Kriechstrecke (20 mm)
Typische Anwendungen:
Schaltnetzteile bei f sw> 20 kHz
.Resonante Wechselrichter bis 100 kHz Induktive Heizung
.elektronisch Schweißer bei f sw > 20 kHz 

TRANSISTOR IGBT-LEISTUNGSMODUL UNABHÄNGIG 1.2 kV V (BR) CES 200A I (C)