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Semikron SKM200GAL125D Disponible

#SKM200GAL125D Semikron SKM200GAL125D Nuevo TRANSISTOR IGBT POWER MÓDULO INDEPENDIENTE 1.2kV V(BR)CES 200A I(C), imágenes SKM200GAL125D, precio SKM200GAL125D, proveedor #SKM200GAL125D
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Correo electrónico: sales@shunlongwei.com

https://www.slw-ele.com/skm200gal125d.html

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Características SKM200GAL125D:
.N canal, homogéneo
.Si Caja de baja inductancia
.Corriente de cola corta con dependencia de baja temperatura.
.Alta capacidad de cortocircuito, autolimitante a 6 x I cnom
Diodos CAL inversos rápidos y suaves Placa de base de cobre aislada usando
.DCB Unión directa de cobre Tecnología
.Gran espacio libre (13 mm) y distancia de fuga (20 mm)
Aplicaciones típicas:
.Fuentes de alimentación de modo conmutado a f sw> 20 kHz
.Inversores resonantes hasta 100 kHz Calentamiento inductivo
.Electronic soldadores a f sw > 20 kHz

Calificaciones y características máximas

.Clasificaciones máximas absolutas (Tc = 25 ° C a menos que no se especifique)

Colector-Emisor voltaje Vces: 1200 V

Voltaje puerta-emisor VGES: ± 20V

Corriente del colector IC: 200A

Corriente de colector Icp: 300A

Disipación de potencia del colector Pc: 180W

Voltaje colector-emisor VCES: 4000V

Temperatura de unión de funcionamiento Tj: + 150 ° C

Temperatura de almacenamiento Tstg: -40 a + 125 ° C

TRANSISTOR MÓDULO DE POTENCIA IGBT INDEPENDIENTE 1.2kV V (BR) CES 200A I (C)

Shunlongwei inspeccionó cada SKM200GAL125D antes del envío, todos los SKM200GAL125D con 6 meses de garantía.