#SKM200GAL125D 세미 크론 SKM200GAL125D 새로운 트랜지스터 IGBT 힘 MODULE 독립 1.2kV V(BR)CES 200A I(C), SKM200GAL125D 사진, SKM200GAL125D 가격, #SKM200GAL125D 공급업체
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이메일 : sales@shunlongwei.com
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SKM200GAL125D 특징 :
.N 채널, 동종
.Si 낮은 인덕턴스 케이스
. 낮은 온도 의존성을 가진 짧은 꼬리 전류
. 높은 단락 회로 기능, 6 x I cnom으로 자체 제한
. 빠르고 부드러운 역 CAL 다이오드 절연 구리 기판 사용
.DCB 직접 구리 결합 Technology
. 큰 간격 (13mm) 및 연면 거리 (20mm)
일반적인 응용 프로그램 :
.f sw> 20kHz에서 전환 모드 전원 공급 장치
. 최대 100kHz 유도 가열 공진 인버터
.전자 fsw > 20kHz의 용접기
최대 등급 및 특성
. 절대 최대 정격 (지정되지 않은 경우 Tc = 25 ° C)
수집기 방출기 전압 Vces : 1200V
게이트 이미 터 전압 VGES : ± 20V
수집기 전류 IC: 200A
콜렉터 전류 Icp : 300A
수집기 전력 흩어지기 Pc : 180W
Collector-Emitter 전압 VCES : 4000V
작동 접합 온도 Tj : + 150 ° C
보관 온도 Tstg : -40 ~ + 125 ° C
트랜지스터 IGBT 전력 모듈 독립 1.2kV V (BR) CES 200A I (C)
Shunlongwei는 배송 전에 모든 SKM200GAL125D, 200 개월 보증으로 모든 SKM125GAL6D를 검사했습니다.