#SKM200GAL125D セミクロン SKM200GAL125D 新型トランジスタ IGBT 電源 モジュール 独立した 1.2kV V(BR)CES 200A I(C)、SKM200GAL125D 写真、SKM200GAL125D 価格、#SKM200GAL125D サプライヤー
-----------------------
Eメール：sales@shunlongwei.com
-----------------------
Eメール：sales@shunlongwei.com
-----------------------
SKM200GAL125Dの機能：
.Nチャネル、均質
.Si低インダクタンスの場合
。温度依存性の低い短いテール電流
。高い短絡能力、6 x Icnomへの自己制限
。高速でソフトな逆CALダイオード
.DCB 直接銅接合 テクノロジー
。大きなクリアランス（13 mm）と沿面距離（20 mm）
代表的なアプリケーション：
.f sw> 20kHzのスイッチモード電源
.100kHzまでの共振インバーター誘導加熱
.エレクトロニック f sw > 20 kHz の溶接機
最大定格と特性
。絶対最大定格（特に指定のない限り、Tc = 25°C）
コレクター-エミッター 電圧 Vces：1200V
ゲート-エミッタ間電圧VGES：±20V
コレクター電流 IC：200A
コレクタ電流Icp：300A
コレクタ消費電力Pc：180W
コレクタ-エミッタ間電圧VCES：4000V
動作接合部温度Tj：+ 150°C
保管温度Tstg：-40〜 + 125°C
トランジスタIGBTパワーモジュール独立1.2kVV（BR）CES 200A I（C）
Shunlongweiは、出荷前にすべてのSKM200GAL125Dを検査し、すべてのSKM200GAL125Dは6か月の保証が付いています。