ST erweitert die STGAP-Familie isolierter Gate-Treiber

STMicroelectronics hat seine STGAP-Familie von isolierten Gate-Treibern um den STGAP2SiCS erweitert, der für die sichere Steuerung von Siliziumkarbid-MOSFETs (SiC) optimiert wurde und mit einem hohenSpannung Schiene bis 1200V.

Fähig, einen Torantrieb zu erzeugen Spannung Bis zu 26 V hat der STGAP2SiCS einen erhöhten UVLO-Schwellenwert (Under Voltage Lockout) von 15.5 V, um die Einschaltanforderungen von SiC zu erfüllen Mosfets. Wenn die Ansteuerspannung zu niedrig ist, was durch eine niedrige Versorgungsspannung verursacht werden kann, sorgt der UVLO für die MOSFET ist ausgeschaltet, um eine übermäßige Ableitung zu verhindern. Der Treiber verfügt über zwei Eingangsstifte, mit denen Entwickler die Polarität des Gate-Ansteuersignals bestimmen können.

Mit einer galvanischen Trennung von 6 kV zwischen dem Eingangsbereich und dem Gate-Treiberausgang trägt der STGAP2SiCS zur Gewährleistung der Sicherheit in Verbraucher- und Industrieanwendungen bei. Die 4A-Ausgangssenken- / Quellenfunktion eignet sich für Konverter, Netzteile und Wechselrichter mit mittlerer und hoher Leistung in Geräten wie High-End-Haushaltsgeräten, Industrieantrieben, Lüftern, Induktionsheizgeräten, Schweißern und USVs.

Es stehen zwei verschiedene Ausgangskonfigurationen zur Verfügung. Einer verfügt über separate Ausgangspins, die eine unabhängige Optimierung der Ein- und Ausschaltzeiten mithilfe eines dedizierten Gates ermöglichen Widerstand. Die zweite ist für das Hochfrequenz-Hard-Switching mit einem einzelnen Ausgangspin und einer aktiven Miller-Klemme vorgesehen, die die Oszillation des SiC begrenzt MOSFET Gate-Source-Spannung, um unerwünschtes Einschalten zu verhindern und die Zuverlässigkeit zu verbessern. Die Eingangsschaltung ist mit CMOS / TTL-Logik bis zu 3.3 V kompatibel, was eine einfache Schnittstelle mit einer Vielzahl von Steuer-ICs ermöglicht.

Der STGAP2SiCS verfügt über einen Standby-Modus, der den Stromverbrauch des Systems senkt, sowie einen integrierten Schutz einschließlich Hardware-Verriegelungen, um eine Querleitung und ein thermisches Abschalten sowohl des Niederspannungsabschnitts als auch des Hochspannungstreiberkanals zu verhindern. Angepasste Ausbreitungsverzögerungen zwischen den Niederspannungs- und Hochspannungsabschnitten verhindern Zyklusverzerrungen und minimieren Energieverluste. Die Gesamtverzögerung beträgt weniger als 75 ns, was eine genaue Steuerung der Pulsweitenmodulation (PWM) bis zu hohen Schaltfrequenzen ermöglicht.

Untergebracht in einem SO-8W-Gehäuse mit breitem Körper, das ein Kriechen von 8 mm auf kleinem Raum gewährleistet.