ST wordt toegevoegd aan de STGAP-familie van geïsoleerde poortstuurprogramma's

STMicroelectronics heeft zijn STGAP-familie van geïsoleerde gate-drivers uitgebreid met de STGAP2SiCS, die is geoptimaliseerd voor veilige besturing van siliciumcarbide (SiC) MOSFET's en werkt vanuit een hoog-spanning rail tot 1200V.

In staat om een ​​poortaandrijving te produceren spanning tot 26V heeft de STGAP2SiCS een verhoogde Under-Voltage Lockout (UVLO) -drempel van 15.5V om te voldoen aan de inschakelvereisten van SiC mosfets​ Als de stuurspanning te laag is, wat kan worden veroorzaakt door een lage voedingsspanning, zorgt de UVLO voor de MOSFET is uitgeschakeld om overmatige dissipatie te voorkomen. De driver heeft dubbele ingangspennen waarmee ontwerpers de signaalpolariteit van de poortaandrijving kunnen bepalen.

Met 6 kV galvanische isolatie tussen het ingangsgedeelte en de poortaansturing, helpt de STGAP2SiCS de veiligheid te garanderen in consumenten- en industriële toepassingen. De 4A output-sink / source-capaciteit is geschikt voor mid- en high-power convertors, voedingen en omvormers in apparatuur zoals high-end huishoudelijke apparaten, industriële aandrijvingen, ventilatoren, inductieverhitters, lassers en UPS'en.

Er zijn twee verschillende uitvoerconfiguraties beschikbaar. De ene heeft aparte uitgangspennen die onafhankelijke optimalisatie van inschakel- en uitschakeltijden mogelijk maken met behulp van een speciale poort Weerstand​ De tweede is bedoeld voor hard schakelen met hoge frequentie, met een enkele uitgangspen en actieve Miller-klem die oscillatie van de SiC beperkt mosfet gate-source spanning om ongewenste inschakeling te voorkomen en de betrouwbaarheid te verbeteren. Het ingangscircuit is compatibel met CMOS / TTL-logica tot 3.3 V, waardoor een gemakkelijke interface met een breed scala aan besturings-IC's mogelijk is.

De STGAP2SiCS heeft een stand-bymodus die het stroomverbruik van het systeem helpt verminderen, evenals ingebouwde bescherming inclusief hardwarevergrendelingen om dwarsgeleiding en thermische uitschakeling van zowel het laagspanningsgedeelte als het hoogspanningsaanstuurkanaal te voorkomen. Op elkaar afgestemde voortplantingsvertragingen tussen de laagspannings- en hoogspanningssecties voorkomen cyclusvervorming en minimaliseren energieverliezen. De totale vertraging is minder dan 75 ns, waardoor nauwkeurige pulsbreedtemodulatie (PWM) -regeling tot hoge schakelfrequenties mogelijk is.

Gehuisvest in een SO-8W-pakket met brede behuizing dat zorgt voor 8 mm kruip binnen een compacte voetafdruk.