ST se suma a la familia STGAP de controladores de puerta aislados

STMicroelectronics ha ampliado su familia STGAP de controladores de compuerta aislada con la incorporación del STGAP2SiCS, que se ha optimizado para el control seguro de MOSFET de carburo de silicio (SiC) y funciona desde una altavoltaje carril hasta 1200V.

Capaz de producir una conducción de puerta voltaje hasta 26 V, el STGAP2SiCS tiene un umbral de bloqueo de bajo voltaje (UVLO) elevado de 15.5 V para cumplir con los requisitos de encendido de SiC mosfets. Si la tensión de conducción es demasiado baja, lo que puede deberse a una tensión de alimentación baja, el UVLO garantiza la MOSFET está apagado para evitar una disipación excesiva. El controlador cuenta con pines de entrada duales que permiten a los diseñadores determinar la polaridad de la señal del controlador de puerta.

Con 6 kV de aislamiento galvánico entre la sección de entrada y la salida de control de puerta, el STGAP2SiCS ayuda a garantizar la seguridad en aplicaciones industriales y de consumo. Su capacidad de fuente / disipador de salida de 4A es adecuada para convertidores de potencia media y alta, fuentes de alimentación e inversores en equipos como electrodomésticos de alta gama, variadores industriales, ventiladores, calentadores de inducción, soldadores y UPS.

Están disponibles dos configuraciones de salida diferentes. Uno tiene pines de salida separados que permiten la optimización independiente de los tiempos de encendido y apagado utilizando una puerta dedicada Resistencia. El segundo se presenta para conmutación dura de alta frecuencia, con un solo pin de salida y una abrazadera Miller activa que limita la oscilación del SiC mosfet voltaje de fuente de compuerta para evitar encendidos no deseados y mejorar la confiabilidad. El circuito de entrada es compatible con la lógica CMOS / TTL de hasta 3.3 V, lo que permite una interfaz sencilla con una amplia variedad de circuitos integrados de control.

El STGAP2SiCS cuenta con un modo de espera que ayuda a reducir el consumo de energía del sistema, así como protección incorporada que incluye enclavamientos de hardware para evitar la conducción cruzada y el apagado térmico tanto de la sección de bajo voltaje como del canal de conducción de alto voltaje. Los retardos de propagación combinados entre las secciones de bajo y alto voltaje evitan la distorsión del ciclo y minimizan las pérdidas de energía. El retardo total es inferior a 75 ns, lo que permite un control preciso de la modulación de ancho de pulso (PWM) hasta altas frecuencias de conmutación.

Alojado en un paquete SO-8W de cuerpo ancho que garantiza una fuga de 8 mm en un espacio compacto.