Datenblätter:PD57002(S)-EProduktfotos:PowerSO-10RF (gerade Leitung)Standardpaket:50Kategorie:Diskret Halbleiter ProdukteFamilie:RF-FETsSerie:-Verpackung:RöhreTransistortyp:LDMOSFrequenz:960MHzVerstärkung:15dBSpannung – Test:28VNennstrom:250mANRauschzahl:-Strom – Test:10mALeistung – Ausgang:2WSpannung – Nennwert:65VPaket/Gehäuse:PowerSO-10 freiliegendes BodenpadLieferanten-Gerätepaket :PowerSO-10RF (gerade Leitung)Andere Namen:497-6718-5PD57002S-E-ND #PD57002S-E STMicroelectronics PD57002S-E Neuer 2W 28V HF bis 1GHz LDMOS Transistor in PSO-10RF-Kunststoffverpackung, PD57002S-E-Bilder, PD57002S-E-Preis, #PD57002S-E-Lieferant
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E-Mail: sales@shunlongwei.com
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Hersteller-Teilenummer: PD57002S-E
Markenname: STMicroelectronics
Rohs Code: Ja
Teilelebenszykluscode: Veraltet
Ihs Hersteller: STMICROELECTRONICS
Teilepaketcode: SOT
Packungsbeschreibung: KUNSTSTOFF, POWERSO-10RF, 2 PIN
Pin-Anzahl: 10
ECCN-Code: EAR99
Hersteller: STMicroelectronics
Risikorang: 5.74
Zusätzliches Merkmal: HOHE ZUVERLÄSSIGKEIT
Gehäuseanschluss: QUELLE
Konfiguration: EINZELN
DS-Aufschlüsselung Spannung-Min: 65 V.
Drainstrom-Max (Abs) (ID): 0.25 A
Drainstrom-Max (ID): 0.25 A
FET Technologie: METALLOXID Halbleiter
Höchstes Frequenzband: ULTRA HOCHFREQUENZBAND
JESD-30-Code: R-PDSO-F2
Anzahl der Elemente: 1
Anzahl der Terminals: 2
Betriebsmodus: VERBESSERUNGSMODUS
Betriebstemperatur-Max: 165 ° C.
Gehäusematerial: KUNSTSTOFF / EPOXY
Verpackungsform: RECHTECKIG
Verpackungsstil: KLEINE ÜBERBLICK
Reflow-Spitzentemperatur (Cel): NICHT ANGEGEBEN
Polarität / Kanaltyp: N-KANAL
Verlustleistung-Max (Abs): 4.75 W.
Leistungsverstärkung-Min (Gp): 15 dB
Qualifikationsstatus: Nicht qualifiziert
Unterkategorie: FET-Allzweckstrom
Oberflächenmontage: JA
Terminalform: FLAT
Anschlussposition: DUAL
Uhrzeit
2W 28V HF bis 1GHz LDMOS Transistor in PSO-10RF Kunststoffverpackung
Markenname: STMicroelectronics
Rohs Code: Ja
Teilelebenszykluscode: Veraltet
Ihs Hersteller: STMICROELECTRONICS
Teilepaketcode: SOT
Packungsbeschreibung: KUNSTSTOFF, POWERSO-10RF, 2 PIN
Pin-Anzahl: 10
ECCN-Code: EAR99
Hersteller: STMicroelectronics
Risikorang: 5.74
Zusätzliches Merkmal: HOHE ZUVERLÄSSIGKEIT
Gehäuseanschluss: QUELLE
Konfiguration: EINZELN
DS-Aufschlüsselung Spannung-Min: 65 V.
Drainstrom-Max (Abs) (ID): 0.25 A
Drainstrom-Max (ID): 0.25 A
FET Technologie: METALLOXID Halbleiter
Höchstes Frequenzband: ULTRA HOCHFREQUENZBAND
JESD-30-Code: R-PDSO-F2
Anzahl der Elemente: 1
Anzahl der Terminals: 2
Betriebsmodus: VERBESSERUNGSMODUS
Betriebstemperatur-Max: 165 ° C.
Gehäusematerial: KUNSTSTOFF / EPOXY
Verpackungsform: RECHTECKIG
Verpackungsstil: KLEINE ÜBERBLICK
Reflow-Spitzentemperatur (Cel): NICHT ANGEGEBEN
Polarität / Kanaltyp: N-KANAL
Verlustleistung-Max (Abs): 4.75 W.
Leistungsverstärkung-Min (Gp): 15 dB
Qualifikationsstatus: Nicht qualifiziert
Unterkategorie: FET-Allzweckstrom
Oberflächenmontage: JA
Terminalform: FLAT
Anschlussposition: DUAL
Uhrzeit
2W 28V HF bis 1GHz LDMOS Transistor in PSO-10RF Kunststoffverpackung