גיליונות נתונים:PD57002(S)-E תצלומי מוצר:PowerSO-10RF (עופרת ישרה) חבילה סטנדרטית:50קטגוריה:דיסקרטית סמיקונדקטור מוצרים משפחה: RF FETs סדרה: - אריזה: סוג טרנזיסטור צינור: LDMOSFדר: 960MHzGain:15dBVoltage – בדיקה:28VCדירוג זרם:250mANרעש איור:-זרם – בדיקה:10mAPower – פלט:2WVoltage – מדורג תחתון /-65Voltage – Expevicer:10 חבילה אלקטרונית :PowerSO-10RF (עופרת ישרה) שמות אחרים:497-6718-5PD57002S-E-ND #PD57002S-E STMicroelectronics PD57002S-E חדש 2W 28V HF ל- 1GHz LDMOS טרנזיסטור באריזת פלסטיק PSO-10RF, תמונות PD57002S-E, מחיר PD57002S-E, ספק #PD57002S-E
-----------------------
דוא"ל: sales@shunlongwei.com
-----------------------
דוא"ל: sales@shunlongwei.com
-----------------------
מספר חלק היצרן: PD57002S-E
שם מותג: STMicroelectronics
קוד רוהס: כן
קוד מחזור חיי חלק: מיושן
יצרן Ihs: STMICROELECTRONICS
קוד חבילת חלק: SOT
תיאור החבילה: PLASTIC, POWERSO-10RF, 2 PIN
מספר פין: 10
קוד ECCN: EAR99
יצרן: STMicroelectronics
דרגת סיכון: 5.74
תכונה נוספת: אמינות גבוהה
חיבור מקרה: SOURCE
תצורה: SINGLE
התמוטטות DS מתחמינימום: 65 וולט
זרם ניקוז מקסימלי (Abs) (ID): 0.25 A.
זרם ניקוז מקסימלי (ID): 0.25 A.
FET טכנולוגיה: מתכת-אוקסיד סמיקונדקטור
רצועת התדרים הגבוהה ביותר: רצועת תדר ULTRA HIGH FREQUENCY
קוד JESD-30: R-PDSO-F2
מספר האלמנטים: 1
מספר המסופים: 2
מצב הפעלה: מצב שיפור
טמפרטורת פעולה מקסימלית: 165 מעלות צלזיוס
חומר גוף החבילה: פלסטיק / אפוקסי
צורת חבילה: מלבנית
סגנון החבילה: SMALL OUTLINE
טמפרטורת זרימה מחדש (Cel): לא מוגדרת
קוטביות / סוג ערוץ: N-CHANNEL
פיזור כוח מקסימלי (ABS): 4.75 וואט
רווח כוח-מינימלי (Gp): 15 dB
סטטוס ההסמכה: לא מוסמך
קטגוריית משנה: כוח FET למטרה כללית
משטח הר: כן
טופס מסוף: FLAT
מיקום מסוף: DUAL
זְמַן
2W 28V HF עד 1GHz LDMOS טרנזיסטור באריזה מפלסטיק PSO-10RF
שם מותג: STMicroelectronics
קוד רוהס: כן
קוד מחזור חיי חלק: מיושן
יצרן Ihs: STMICROELECTRONICS
קוד חבילת חלק: SOT
תיאור החבילה: PLASTIC, POWERSO-10RF, 2 PIN
מספר פין: 10
קוד ECCN: EAR99
יצרן: STMicroelectronics
דרגת סיכון: 5.74
תכונה נוספת: אמינות גבוהה
חיבור מקרה: SOURCE
תצורה: SINGLE
התמוטטות DS מתחמינימום: 65 וולט
זרם ניקוז מקסימלי (Abs) (ID): 0.25 A.
זרם ניקוז מקסימלי (ID): 0.25 A.
FET טכנולוגיה: מתכת-אוקסיד סמיקונדקטור
רצועת התדרים הגבוהה ביותר: רצועת תדר ULTRA HIGH FREQUENCY
קוד JESD-30: R-PDSO-F2
מספר האלמנטים: 1
מספר המסופים: 2
מצב הפעלה: מצב שיפור
טמפרטורת פעולה מקסימלית: 165 מעלות צלזיוס
חומר גוף החבילה: פלסטיק / אפוקסי
צורת חבילה: מלבנית
סגנון החבילה: SMALL OUTLINE
טמפרטורת זרימה מחדש (Cel): לא מוגדרת
קוטביות / סוג ערוץ: N-CHANNEL
פיזור כוח מקסימלי (ABS): 4.75 וואט
רווח כוח-מינימלי (Gp): 15 dB
סטטוס ההסמכה: לא מוסמך
קטגוריית משנה: כוח FET למטרה כללית
משטח הר: כן
טופס מסוף: FLAT
מיקום מסוף: DUAL
זְמַן
2W 28V HF עד 1GHz LDMOS טרנזיסטור באריזה מפלסטיק PSO-10RF