Hojas de datos:PD57002(S)-EFotos del producto:PowerSO-10RF (cable recto)Paquete estándar:50Categoría:Discreto Semiconductores Familia de productos:RF FETsSerie:-Empaquetado:Tubo Tipo de transistor:LDMOSFrecuencia:960MHzGanancia:15dBVoltaje – Prueba:28VClasificación de corriente:250mAFigura de ruido:-Corriente –Prueba:10mAPotencia –Salida:2WVoltaje –Nominal:65VPaquete/Estuche:PowerSO-10 Almohadilla inferior expuestaPaquete de dispositivo del proveedor :PowerSO-10RF (Conductor recto)Otros nombres:497-6718-5PD57002S-E-ND #PD57002S-E STMicroelectronics PD57002S-E Nuevo 2W 28V HF a 1GHz LDMOS Transistor en paquete de plástico PSO-10RF, imágenes PD57002S-E, precio PD57002S-E, proveedor # PD57002S-E
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Correo electrónico: sales@shunlongwei.com
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Número de parte del fabricante: PD57002S-E
Nombre de la marca: STMicroelectronics
Código Rohs: Sí
Código de ciclo de vida de la pieza: obsoleto
Fabricante IHS: STMICROELECTRONICS
Código del paquete de piezas: SOT
Descripción del paquete: PLÁSTICO, POWERSO-10RF, 2 PIN
Recuento de pines: 10
Código ECCN: EAR99
Fabricante: STMicroelectronics
Rango de riesgo: 5.74
Característica adicional: ALTA FIABILIDAD
Conexión de la caja: FUENTE
Configuración: INDIVIDUAL
Desglose de DS voltaje-Mín: 65 V
Corriente de drenaje máxima (Abs) (ID): 0.25 A
Corriente de drenaje máxima (ID): 0.25 A
FET Tecnología: ÓXIDO DE METAL Semiconductores
Banda de frecuencia más alta: BANDA DE FRECUENCIA ULTRA ALTA
Código JESD-30: R-PDSO-F2
Número de elementos: 1
Número de terminales: 2
Modo de funcionamiento: MODO DE MEJORA
Temperatura de funcionamiento máxima: 165 ° C
Material del cuerpo del paquete: PLÁSTICO / EPOXI
Forma del paquete: RECTANGULAR
Estilo del paquete: PEQUEÑO ESQUEMA
Temperatura máxima de reflujo (Cel): NO ESPECIFICADA
Polaridad / Tipo de canal: N-CANAL
Disipación de energía-Máx. (Abs): 4.75 W
Ganancia de potencia mínima (Gp): 15 dB
Estado de calificación: no calificado
Subcategoría: FET General Purpose Power
Montaje en superficie: SÍ
Forma de terminal: PISO
Posición terminal: DUAL
Horario
2 W 28 V HF a 1 GHz LDMOS Transistor en paquete de plástico PSO-10RF
Nombre de la marca: STMicroelectronics
Código Rohs: Sí
Código de ciclo de vida de la pieza: obsoleto
Fabricante IHS: STMICROELECTRONICS
Código del paquete de piezas: SOT
Descripción del paquete: PLÁSTICO, POWERSO-10RF, 2 PIN
Recuento de pines: 10
Código ECCN: EAR99
Fabricante: STMicroelectronics
Rango de riesgo: 5.74
Característica adicional: ALTA FIABILIDAD
Conexión de la caja: FUENTE
Configuración: INDIVIDUAL
Desglose de DS voltaje-Mín: 65 V
Corriente de drenaje máxima (Abs) (ID): 0.25 A
Corriente de drenaje máxima (ID): 0.25 A
FET Tecnología: ÓXIDO DE METAL Semiconductores
Banda de frecuencia más alta: BANDA DE FRECUENCIA ULTRA ALTA
Código JESD-30: R-PDSO-F2
Número de elementos: 1
Número de terminales: 2
Modo de funcionamiento: MODO DE MEJORA
Temperatura de funcionamiento máxima: 165 ° C
Material del cuerpo del paquete: PLÁSTICO / EPOXI
Forma del paquete: RECTANGULAR
Estilo del paquete: PEQUEÑO ESQUEMA
Temperatura máxima de reflujo (Cel): NO ESPECIFICADA
Polaridad / Tipo de canal: N-CANAL
Disipación de energía-Máx. (Abs): 4.75 W
Ganancia de potencia mínima (Gp): 15 dB
Estado de calificación: no calificado
Subcategoría: FET General Purpose Power
Montaje en superficie: SÍ
Forma de terminal: PISO
Posición terminal: DUAL
Horario
2 W 28 V HF a 1 GHz LDMOS Transistor en paquete de plástico PSO-10RF