Schede tecniche:PD57002(S)-EFoto del prodotto:PowerSO-10RF (conduttore dritto)Confezione standard:50Categoria:Discreto Semiconduttore Famiglia di prodotti:FET RFSerie:-Confezione:TubeTipo di transistor:LDMOSFrequenza:960MHzGuadagno:15dBTensione – Test:28VValutazione corrente:250mAFigura di rumore:-Corrente – Test:10mAPotenza – Uscita:2WTensione – Nominale:65VConfezione/custodia:PowerSO-10 Pad inferiore espostoPacchetto dispositivo fornitore :PowerSO-10RF (conduttore dritto)Altri nomi:497-6718-5PD57002S-E-ND #PD57002S-MI STMicroelectronics PD57002S-E Nuovo 2W 28V HF a 1GHz LDMOS Transistor in confezione di plastica PSO-10RF, immagini PD57002S-E, prezzo PD57002S-E, fornitore #PD57002S-E
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E-mail: sales@shunlongwei.com
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Codice produttore: PD57002S-E
Marchio: STMicroelectronics
Codice Rohs: Sì
Codice del ciclo di vita della parte: obsoleto
Produttore Ihs: STMICROELECTRONICS
Codice pacchetto parte: SOT
Descrizione della confezione: PLASTICA, POWERSO-10RF, 2 PIN
Numero pin: 10
Codice ECCN: EAR99
Produttore: STMicroelectronics
Grado di rischio: 5.74
Caratteristica aggiuntiva: ALTA AFFIDABILITÀ
Collegamento del caso: FONTE
Configurazione: SINGOLA
Ripartizione DS voltaggio-Min: 65 V
Scarico corrente-max (Abs) (ID): 0.25 A
Scarico corrente-max (ID): 0.25 A
FET Tecnologia: OSSIDO DI METALLO Semiconduttore
Banda di frequenza più alta: BANDA DI FREQUENZA ULTRA ALTA
Codice JESD-30: R-PDSO-F2
Numero di elementi: 1
Numero di terminali: 2
Modalità operativa: MODALITÀ MIGLIORAMENTO
Temperatura di esercizio-Max: 165 ° C
Materiale corpo confezione: PLASTICA / EPOSSIDICA
Forma del pacchetto: RETTANGOLARE
Stile confezione: PICCOLO PROFILO
Temperatura di riflusso di picco (Cel): NON SPECIFICATA
Polarità / Tipo di canale: N-CHANNEL
Dissipazione di potenza-Max (Abs): 4.75 W.
Guadagno di potenza-Min (Gp): 15 dB
Stato della qualifica: non qualificato
Sottocategoria: FET General Purpose Power
Montaggio superficiale: SI
Modulo terminale: FLAT
Posizione terminale: DUAL
Ora
LDMOS da 2W 28V HF a 1GHz Transistor in confezione di plastica PSO-10RF
Marchio: STMicroelectronics
Codice Rohs: Sì
Codice del ciclo di vita della parte: obsoleto
Produttore Ihs: STMICROELECTRONICS
Codice pacchetto parte: SOT
Descrizione della confezione: PLASTICA, POWERSO-10RF, 2 PIN
Numero pin: 10
Codice ECCN: EAR99
Produttore: STMicroelectronics
Grado di rischio: 5.74
Caratteristica aggiuntiva: ALTA AFFIDABILITÀ
Collegamento del caso: FONTE
Configurazione: SINGOLA
Ripartizione DS voltaggio-Min: 65 V
Scarico corrente-max (Abs) (ID): 0.25 A
Scarico corrente-max (ID): 0.25 A
FET Tecnologia: OSSIDO DI METALLO Semiconduttore
Banda di frequenza più alta: BANDA DI FREQUENZA ULTRA ALTA
Codice JESD-30: R-PDSO-F2
Numero di elementi: 1
Numero di terminali: 2
Modalità operativa: MODALITÀ MIGLIORAMENTO
Temperatura di esercizio-Max: 165 ° C
Materiale corpo confezione: PLASTICA / EPOSSIDICA
Forma del pacchetto: RETTANGOLARE
Stile confezione: PICCOLO PROFILO
Temperatura di riflusso di picco (Cel): NON SPECIFICATA
Polarità / Tipo di canale: N-CHANNEL
Dissipazione di potenza-Max (Abs): 4.75 W.
Guadagno di potenza-Min (Gp): 15 dB
Stato della qualifica: non qualificato
Sottocategoria: FET General Purpose Power
Montaggio superficiale: SI
Modulo terminale: FLAT
Posizione terminale: DUAL
Ora
LDMOS da 2W 28V HF a 1GHz Transistor in confezione di plastica PSO-10RF