Semikron SKKT 106B16 E IGBT-Modul – Spezifikationen, Funktionen und Anwendungen Entdecken Sie das leistungsstarke Semikron SKKT 106B16 E IGBT-Modul, ein hochmodernes Halbleiterbauelement, das für verschiedene Anwendungen entwickelt wurde. Hier sind die wichtigsten Spezifikationen: Der Semikron SKKT 106B16 E wurde mit Blick auf Präzision und Zuverlässigkeit entwickelt und bietet überlegene Leistung in einem kompakten Modul, wodurch er für […] geeignet ist.
Das Semikron SKKT 570/16 E ist ein IGBT-Modul (Insulated Gate Bipolar Transistor) mit spezifischen elektrischen Eigenschaften und Nennwerten. Hier ist eine Aufschlüsselung der bereitgestellten Informationen: Elektrische Eigenschaften: Temperaturwerte: Andere Werte:
Das Infineon FP40R12KT3 ist ein Hochleistungs-IGBT-Modul (Insulated Gate Bipolar Transistor) mit spezifischen Eigenschaften und Anwendungen. Hier sind die wichtigsten Spezifikationen und Details zu diesem Modul: Das FP40R12KT3 ist für Hochleistungsanwendungen konzipiert und verfügt über eine Halbbrückenkonfiguration, die aus zwei IGBTs besteht. Diese Konfiguration wird häufig in Motorantrieben und erneuerbaren Energiesystemen verwendet […]
Das Fuji 6MBP160RUA060-016 ist ein IGBT-Modul, das für 160 Ampere und 600 Volt ausgelegt ist. Es ist Teil der Fuji Electric Easy PIM Series EconoPACK+ Integrated Standard-Reihe von IGBT-Modulen. Dieses Modul eignet sich für den Einsatz in einer Vielzahl von Anwendungen, darunter: Das 6MBP160RUA060-016 bietet eine Reihe von Vorteilen, darunter: Hier sind […]
Lane Motorsport ist auf die Erfüllung aller elektrischen und elektronischen Verbindungsanforderungen des Motorsports spezialisiert und bietet die neueste Hochleistungssteckverbindertechnologie ab Lager an, was den Design- und Beschaffungsprozess vereinfacht und Kunden dabei unterstützt, ihren Wettbewerbsvorteil zu wahren. Das Unternehmen verfügt über umfangreiche Erfahrung in der Lieferung von Standard- und kundenspezifischen Steckverbindern sowie allen Komponenten der Steckverbinder […]
Die Leistungs-Thyristor-/Diodenmodule der PK160F-Serie sind für verschiedene Gleichrichterschaltungen und Leistungssteuerungen konzipiert. Für Ihre Schaltungsanwendung. Folgende interne Anschlüsse und große Spannungswerte bis zu 1,600 V sind verfügbar. Zwei Elemente in einem Paket und ein elektrisch isolierter Montagesockel erleichtern Ihr mechanisches Design. GleichstrommotorantriebeHeizungssteuerungenLichtdimmerStatische SchalterMaximale […]
Das SEMIKRON SKKT 162/16 E ist ein IGBT-Modul (Insulated Gate Bipolar Transistor) von SEMIKRON. Hier sind die Spezifikationen des Moduls: IGBT-Module werden häufig in leistungselektronischen Anwendungen eingesetzt, darunter Motorantriebe, Stromversorgungen, Systeme für erneuerbare Energien und industrielle Automatisierung. Sie kombinieren die Vorteile der Hochgeschwindigkeitsschaltfähigkeit von MOSFETs und der niedrigen […]
Das IXYS VUO160-16NO7 ist ein IGBT-Modul (Insulated Gate Bipolar Transistor), hergestellt von der IXYS Corporation. IGBT-Module werden häufig in leistungselektronischen Anwendungen zum Schalten und Steuern hoher Leistungen verwendet. Hier sind einige Spezifikationen des IGBT-Moduls VUO160-16NO7: Maximale Nennspannung: 1600 V Nennstrom: 160 A Kollektor-Emitter-Spannung: 1600 V Kollektorstrom: 160 A Maximale Verlustleistung: 600 W Montageart : SchraubklemmenKonfiguration: Einzelner IGBTDer VUO160-16NO7 […]