Nachfolgend finden Sie eine Galerie aller Gewinner, die ihre Auszeichnungen entgegennehmen. Klicken Sie einfach auf die Bilder, um sie zu vergrößern. Siehe auch: Bildergalerie: Teilnehmer – Women Leaders In Electronics Awards Die vollständige Liste der Gewinner nach Kategorien finden Sie hier. Herzlichen Glückwunsch an alle Gewinner und auch an diejenigen, die in die engere Wahl kamen oder […]
Sie seien „für hohe Ströme ausgelegt“ und „so konzipiert, dass sie rauen Umgebungsbedingungen standhalten“, so das Unternehmen. Es sind Steckverbinder für Kabel von 16 bis 95 mm2 erhältlich, deren Kontakte aus einer versilberten Kupferlegierung bestehen und gemäß UL 4128 zugelassen sind. Die voraussichtliche Lebensdauer der mechanischen Verbindung ohne elektrische Belastung beträgt >100 Zyklen. Das sind zwei […]
Die Module sind mit oder ohne mitverpackte Schottky-Diode erhältlich, mit Nennströmen zwischen 30 und 113 A und einem Einschaltwiderstand von 80 mΩ bis 20 mΩ (siehe Tabelle). Das SOT-227-Gehäuse ist für die Befestigung an einem Kühlkörper konzipiert und verfügt über Schraubklemmen für die elektrischen Anschlüsse. Die Grundfläche des Kühlkörpers beträgt 38 x 25 mm und […]
Das Semikron SKKT 570/16 E ist ein IGBT-Modul (Insulated Gate Bipolar Transistor) mit spezifischen elektrischen Eigenschaften und Nennwerten. Hier ist eine Aufschlüsselung der bereitgestellten Informationen: Elektrische Eigenschaften: Temperaturwerte: Andere Werte:
Die Toshiba Electronics Europe GmbH hat einen neuen SiC-MOSFET mit einer Nennspannung von 2200 V und eingebettetem SBD für den Einsatz in 1500-V-DC-Anwendungen wie PV-Wechselrichtern, Ladegeräten für Elektrofahrzeuge, Hochfrequenz-DC/DC-Wandlern und Energiespeichersystemen entwickelt. Das neue Gerät vereinfacht Wechselrichterdesigns und erhöht die Leistungsdichte, wodurch Größe und Gewicht verringert werden. Herkömmliche Dreipunkt-Wechselrichter weisen geringe Schaltverluste auf, da […]
Herkömmliche Dreipunkt-Wechselrichter weisen geringe Schaltverluste auf, da die Sperrspannung an den Schaltgeräten die Hälfte der Netzspannung beträgt. Im Vergleich dazu verfügen Zwei-Stufen-Wechselrichter über weniger Schaltmodule, wodurch sie einfacher, kleiner und leichter sind. Sie erfordern jedoch Halbleiterbauelemente mit höherer Durchbruchspannung, da die angelegte Spannung die Netzspannung ist. Es ist wichtig, dieser Herausforderung zu begegnen […]
PHT250N16 IGBT-Modul (Insulated Gate Bipolar Transistor). Diese Spezifikationen beschreiben die maximalen Nennwerte und Eigenschaften des IGBT-Moduls unter verschiedenen Betriebsbedingungen. Hier ist eine Aufschlüsselung der von Ihnen bereitgestellten Informationen:
Das SanRex MDF250A20L ist ein Hochleistungs-Gleichrichterdiodenmodul, das von der SanRex Corporation hergestellt wird. Es ist für den Einsatz in Gleichrichterschaltungen konzipiert und bietet leistungsstarke Eigenschaften für verschiedene Anwendungen. Hier ist eine Zusammenfassung seiner Details, Funktionen und Spezifikationen: Modulübersicht: Das SanRex MDF250A20L ist ein Diodenmodul, das für den Einsatz in Gleichrichterschaltungen entwickelt wurde. Es verfügt über eine […]
Das Eupec TT250N16KOF ist ein IGBT-Modul (Insulated Gate Bipolar Transistor) mit spezifischen Funktionen, Anwendungen und maximalen Nennwerten. Hier sind die von Ihnen bereitgestellten Informationen: Funktionen: Anwendungen: Maximale Bewertungen und Eigenschaften: