Das Mitsubishi CM75DY-34A ist ein IGBT-Modul (Insulated Gate Bipolar Transistor) mit den folgenden Spezifikationen: Dieses IGBT-Modul ist für Motorsteuerungsanwendungen konzipiert. Er hat einen maximalen Kollektorstrom von 75 A und eine maximale Kollektor-Emitter-Spannung von 1700 V.
Sales Email: sales@shunlongwei.com Merkmale des Semikron SKT760/16E IGBT-Moduls: Typische Anwendungen: Empfohlenes Snubber-Netzwerk für Vvrms ≤ 400 V: Spezifikationen:
Das 2MBI1200U4G-170 ist ein Leistungsmodul von Fuji Electric. Es ist für Hochleistungsschaltanwendungen konzipiert und besteht aus mehreren Bipolartransistoren mit isoliertem Gate (IGBTs) und Dioden, die in einem einzigen Gehäuse integriert sind. Hier sind die Spezifikationen für das Modul 2MBI1200U4G-170: Hersteller: Fuji Electric Modell: 2MBI1200U4G-170 Modultyp: Leistungsmodul Konfiguration: Mehrere IGBTs und Dioden Maximale Kollektor-Emitter-Spannung: 1700 V Maximaler Kollektorstrom: […]
Sales Email: sales@shunlongwei.com Das 2MBI1400VXB-170E-50 ist ein Leistungsmodul mit verschiedenen Funktionen und Anwendungen. Zu seinen Hauptmerkmalen gehören: Hochgeschwindigkeitsschalten: Das Modul ist für effiziente und schnelle Schaltvorgänge ausgelegt und eignet sich daher für Anwendungen, die schnelle Schaltzeiten erfordern. Spannungsantrieb: Er kann mit Niederspannungssignalen betrieben werden, typischerweise bis zu ±20 V, was […]
Vertriebs-E-Mail: sales@shunlongwei.com Fuji 6MBI450VY-170 Neues IGBT-Modul 6MBI450VY-170 Merkmale: Das 6MBI450VY-170 ist ein kompaktes und auf PC-Platinen montierbares IGBT-Modul (Insulated Gate Bipolar Transistor). Es bietet folgende Merkmale: Kompaktes Paket: Das Modul ist platzsparend konzipiert und lässt sich leicht in verschiedene Anwendungen integrieren. PC-Platinenmontage: Kann direkt auf […] montiert werden.
Sales Email: sales@shunlongwei.com Typische Anwendungen des neuen IGBT-Moduls Infineon FZ2400R17HP4_B2: Elektrische Merkmale: Mechanische Merkmale: Maximale Nennwerte und Eigenschaften: (Tc=25 °C, sofern nicht anders angegeben)
DF30AA160 DF30AA160 DF30AA160 DF30AA160 #DF30AA160 SanRex DF30AA160 Neuer Ausgangsgleichstrom beträgt 30 A (Tc = 117 ° C) Wiederholte Spitzensperrspannung bis zu 1,600 V, DF30AA160-Bilder, DF30AA160-Preis, # DF30AA160-Lieferant ————————— ———————————- Email: sales@shunlongwei.com https://www.slw-ele.com/df30aa160.html ——————————————————————- Power Diode Module DF30AAis designed for three phase full wave rectification, whichhas six diodes connected in a three phase bridge configuration. The […]
Sales Email: sales@shunlongwei.com Das Toshiba MG150J7KS50 ist ein leistungsstarkes und effizientes IGBT-Modul (Insulated Gate Bipolar Transistor), das für verschiedene Industrieanwendungen entwickelt wurde, die Hochspannungs- und Hochstrom-Schaltfähigkeiten erfordern. Lassen Sie uns einige wichtige Merkmale und Eigenschaften dieses neuen IGBT-Moduls erkunden. Der MG150J7KS50 ist für eine Spannung von 1,700 V ausgelegt und eignet sich daher für Anwendungen […]