Semikron SKKD 46/12 IGBT-Modul – Ein umfassender Leitfaden Entdecken Sie die Funktionen und Spezifikationen des Semikron SKKD 46/12 IGBT-Moduls, einer Hochleistungsdiode mit einer Halbleiterstruktur in Doppelreihe. Dieses von Semikron hergestellte Modul ist für verschiedene Anwendungen konzipiert und gewährleistet Zuverlässigkeit und Effizienz. Wichtige Spezifikationen: Zusätzliche Informationen: Diese Semikron-Diode mit ihrem […]
Die von Ihnen bereitgestellten Informationen beziehen sich auf ein IGBT-Modul (Insulated Gate Bipolar Transistor) von Semikron mit der Modellnummer SKKD 75F12. Hier sind einige seiner Merkmale, Anwendungen und maximalen Nennwerte: Merkmale: Anwendungen: Maximale Nennwerte und Eigenschaften: Dieses IGBT-Modul ist für Hochleistungsanwendungen konzipiert und es ist wichtig, es innerhalb der angegebenen Grenzen zu betreiben […]
Hersteller: SemikronModell: SKKD 260/16Maximale Kollektor-Emitter-Spannung (Vces): 1600 VKollektorstrom (IC): 260 AKollektorstrom – gepulst (Icp): 520 AMaximale Verlustleistung (PC): Nicht angegebenKollektor-Emitter-Sättigungsspannung (Vce(sat) @ IC , Vge): Nicht angegeben. Gate-Emitter-Schwellenspannung (Vge(th)): Nicht angegeben. Betriebstemperaturbereich (Tj): -40 °C bis +150 °C. Lagertemperaturbereich (Tstg): -40 °C bis +125 °C
SKKD 260/16 ist ein Hochleistungs-Halbleitermodul von Semikron. Es handelt sich um ein kompaktes und robustes Modul, das Thyristoren und Dioden kombiniert und für verschiedene leistungselektronische Anwendungen entwickelt wurde. Hier sind die wichtigsten Spezifikationen und Merkmale des SKKD 260/16:Hersteller: SemikronTeilenummer: SKKD 260/16Modultyp: Thyristor/DiodeNennspannung: 1600VNennstrom: 260Anzahl der Thyristoren: 2Anzahl der Dioden: 2Paket […]