Semikron SKKD 46/12 IGBT-Modul – Ein umfassender Leitfaden Entdecken Sie die Funktionen und Spezifikationen des Semikron SKKD 46/12 IGBT-Moduls, einer Hochleistungsdiode mit einer Halbleiterstruktur in Doppelreihe. Dieses von Semikron hergestellte Modul ist für verschiedene Anwendungen konzipiert und gewährleistet Zuverlässigkeit und Effizienz. Wichtige Spezifikationen: Zusätzliche Informationen: Diese Semikron-Diode mit ihrem […]
Fuji 1MBI300N-120 IGBT-Modul: Merkmale: Anwendungen: Maximale Nennwerte und Eigenschaften:
Das FS450R12KE3 ist ein IGBT-Modul (Insulated Gate Bipolar Transistor), das für Hochleistungsanwendungen entwickelt wurde. Hier die wichtigsten Spezifikationen: Dieses IGBT-Modul ist für hohe Spannungen (bis zu 1200 V) und hohe Ströme (bis zu 600 A) ausgelegt. Die Hex-Konfiguration weist darauf hin, dass es sich um mehrere IGBTs in hexagonaler Anordnung handelt. Das EconoPACK+ Paket […]
Produktinformationen: Merkmale: Lagerungs- und Transportrichtlinien:
Das Fuji 6MBP300KA060-01 ist ein Hochleistungs-IGBT-Modul (Insulated Gate Bipolar Transistor), das für Hochleistungsanwendungen entwickelt wurde. Hier sind die Spezifikationen und Eigenschaften dieses Moduls: Maximale Nennwerte und Eigenschaften (Tc=25 °C, sofern nicht anders angegeben): Dieses Modul ist in der Lage, extrem hohe Strom- und Spannungspegel zu verarbeiten, wodurch es für Anwendungen wie industrielle Motorantriebe geeignet ist, [ …]
Das Semikron SKKD380/18 ist ein von Semikron hergestelltes IGBT-Modul (Insulated Gate Bipolar Transistor). Hier einige Informationen zu diesem Modul:
Das FUJI 2MBI600VN-120-50 ist ein IGBT-Modul (Insulated Gate Bipolar Transistor), das für Hochleistungsanwendungen entwickelt wurde, die schnelles Schalten und Spannungsantrieb erfordern. Hier sind die Spezifikationen und Merkmale dieses IGBT-Moduls: Merkmale: Anwendungen: Das FUJI 2MBI600VN-120-50 IGBT-Modul kann in verschiedenen Anwendungen verwendet werden, einschließlich: Maximale Nennwerte und Eigenschaften (bei Tc=25 °C, sofern nicht anders angegeben):
Fuji 2MBI200U4H-120 IGBT-Modul. Dieses Modul wird in leistungselektronischen Anwendungen zum Schalten hoher Ströme und Spannungen eingesetzt. Hier sind die wichtigsten Spezifikationen: Absolute Höchstbewertungen: Zusätzliche Informationen:
Das Fuji 2MBI600VE-120 ist ein IGBT-Modul (Insulated Gate Bipolar Transistor) mit spezifischen Merkmalen und Fähigkeiten, das für verschiedene leistungselektronische Anwendungen entwickelt wurde. Hauptmerkmale: Anwendungen: Maximale Nennwerte und Eigenschaften (Tc=25 °C, sofern nicht anders angegeben): Das Fuji 2MBI600VE-120 IGBT-Modul ist für Hochleistungsanwendungen wie Motorantriebe, Verstärker, Netzteile und Industriemaschinen konzipiert. Seine hohe Geschwindigkeit […]