1MBI600V-120 Vídeo
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FUJI IGBT 1MBI600V-120 es un bipolar de puerta aislada de alto rendimiento Transistor (IGBT) módulo diseñado y fabricado por FUJI Eléctrico.
El módulo (1MBI600V-120) tiene un voltaje Con una clasificación de 600 V y una corriente máxima de colector de 120 A, se usa ampliamente para aplicaciones de alta potencia como control de motores, fuentes de alimentación y sistemas de energía renovable.
Funciones de protección integradas 1MBI600V-120, como protección contra cortocircuitos y protección contra sobretemperatura.
Caracteristicas
. Conmutación de alta velocidad
. Unidad de voltaje
. Estructura del módulo de baja inductancia
Aplicaciones
. Inversor para Motor Drive
. CA y CC Amplificador de servoaccionamiento
. Fuente de poder ininterrumpible
. Máquinas industriales, como máquinas de soldar
Valores nominales y características máximos Valores nominales máximos absolutos (a Tc=25 °C a menos que se especifique lo contrario)
Voltaje colector-emisor VCES 1200V
Voltaje puerta-emisor VGES ±20V
Corriente del colector IC pulso 1 ms 600 A
Corriente de colector Ic pulso 1 ms 1200 A
Disipador de potencia colector Pc 1 dispositivo 3000 W
Temperatura de unión Tj 175°C
Temperatura de unión de funcionamiento (en condiciones de conmutación) Tjop 150°C
Temperatura de la caja Tc 125°C
Temperatura de almacenamiento Tstg -40~+125°C
Tensión de aislamiento Entre terminal y base de cobre (*1) Viso AC : 1min. 2500 VCA
Par de apriete del tornillo Montaje(*2) M5 o M6 6.0 Nm