Video 1MBI600V-120
Bán 1MBI600V-120, #FUJI #1MBI600V-120 Hàng Mới, IGBT MODULE (V series) 1200V/600A/1 trong 1 gói, #IGBT_Module, #IGBT, #600MBI120V_XNUMX
Email: sales@shunlongwei.com
FUJI IGBT 1MBI600V-120 là một lưỡng cực cổng cách điện hiệu suất cao Transistor (IGBT) mô-đun được thiết kế và sản xuất bởi Điện máy FUJI.
Mô-đun (1MBI600V-120) có một Vôn định mức 600V và dòng thu tối đa 120A, nó được sử dụng rộng rãi cho các ứng dụng năng lượng cao như điều khiển động cơ, nguồn điện và hệ thống năng lượng tái tạo.
1MBI600V-120 được tích hợp các tính năng bảo vệ như bảo vệ ngắn mạch & bảo vệ quá nhiệt.
Tính năng
. Chuyển đổi tốc độ cao
. Ổ điện áp
. Cấu trúc mô-đun điện cảm thấp
Ứng dụng
. Biến tần cho truyền động động cơ
. AC và DC Bộ khuếch đại ổ đĩa servo
. Cung cấp điện liên tục
. Máy công nghiệp, chẳng hạn như máy hàn
Xếp hạng tối đa và Đặc điểm Xếp hạng tối đa tuyệt đối (tại Tc=25°C trừ khi có quy định khác)
Bộ thu-phát điện áp VCES 1200V
Điện áp Gate-Emitter VGES ±20V
Dòng thu IC xung 1 ms 600 A
Xung Ic hiện tại của bộ thu 1 ms 1200 A
Tản nhiệt bộ thu Pc 1 thiết bị 3000 W
Nhiệt độ giao nhau Tj 175 ° C
Nhiệt độ mối nối vận hành (trong điều kiện chuyển mạch) Tjop 150°C
Nhiệt độ vỏ Tc 125°C
Nhiệt độ bảo quản Tstg -40~+125°C
Điện áp cách ly Giữa cực và đế đồng (*1) Viso AC : 1 phút. 2500 VAC
Lực vặn vít Gắn(*2) M5 hoặc M6 6.0 Nm