1MBI600V-120 Video
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FUJI IGBT 1MBI600V-120 è un bipolare a gate isolato ad alte prestazioni Transistor (IGBT) modulo progettato e prodotto da FUJI Elettrico.
Il modulo (1MBI600V-120) ha a voltaggio nominale 600 V e corrente massima del collettore 120 A, è ampiamente utilizzato per applicazioni ad alta potenza come controllo motori, alimentatori e sistemi di energia rinnovabile.
1MBI600V-120 funzioni di protezione integrate come protezione da cortocircuito e protezione da sovratemperatura.
Caratteristiche
. Commutazione ad alta velocità
. Azionamento di tensione
. Struttura del modulo a bassa induttanza
Applicazioni
. Inverter per azionamento a motore
. CA e CC Amplificatore servoazionamento
. Gruppo di continuità
. Macchine industriali, come le saldatrici
Valori nominali massimi e caratteristiche Valori nominali massimi assoluti (a Tc=25°C se non diversamente specificato)
Tensione collettore-emettitore VCES 1200V
Tensione Gate-Emitter VGES ±20V
Corrente del collettore IC impulso 1 ms 600 A
Corrente di collettore Ic impulso 1 ms 1200 A
Potenza dissipata collettore Pc 1 dispositivo 3000 W
Temperatura di giunzione Tj 175°C
Temperatura operativa di giunzione (in condizioni di commutazione) Tjop 150°C
Temperatura cassa Tc 125°C
Temperatura di stoccaggio Tstg -40~+125°C
Tensione di isolamento Tra terminale e base in rame (*1) Viso AC : 1min. 2500 V CA
Coppia di serraggio delle viti Montaggio(*2) M5 o M6 6.0 Nm