Controladores de transistores de potencia GaN para aplicaciones militares y de alta rel.

Actualización: 6 de agosto de 2023
Controladores de transistores de potencia GaN para aplicaciones militares y de alta rel.

TDGD271 es un controlador de un solo canal en 8pad SOIC, mientras que TDGD274 es un controlador de doble canal en 16pad SOIC.

“Los dispositivos de la familia TDGD27x son ideales para aplicaciones aisladas mosfet, IGBTy aplicaciones de accionamiento de puerta HEMT de SiC o GaN, incluida la activación de la familia TDG de HEMT de GaN TDG de Teledyne HiRel”, según la empresa. "Su pequeño tamaño y su amplio rango de temperatura los hacen únicos".

Para un uso exigente, están disponibles con 100% de detección y de un lote de difusión, y se envían desde las instalaciones de confianza del Departamento de Defensa de Teledyne en California.

La versión dual incluye circuitos anti-superposición que permiten que una sola forma de onda PWM controle los transistores superior e inferior en un medio puente; el tiempo muerto se puede ajustar entre 10-200ns. Las entradas son compatibles con TTL con histéresis> 400 mV y hay un bloqueo de bajo voltaje de 3 V en la alimentación lógica del lado de entrada.

Las salidas aisladas necesitan una fuente de alimentación separada, que se puede complementar con un sistema de correas de arranque para el canal superior de un medio puente.

En el interior, la barrera de aislamiento es un Semiconductores tipo, con señales on-off moduladas en una portadora de RF antes de cruzar. Se reclama un retardo de propagación máximo de 60 ns junto con un jitter pico a pico de 200ps.

“Este esquema de activación / desactivación de RF es superior a los esquemas de código de pulso, ya que proporciona inmunidad al ruido, bajo consumo de energía y mejor inmunidad a los campos magnéticos”, según la compañía, aunque la inmunidad magnética no se especifica en la hoja de datos.

Lo que se especifica es la inmunidad eléctrica: 200 kV / µs transitorio en modo común y 400 kV / µs enclavamiento.

El espacio libre y la fuga son de 4.7 y 3.9 mm respectivamente, y el espacio interior mínimo es de 8 μm.

Se prevé un funcionamiento hasta 1MHz, en aplicaciones que incluyen fuentes de alimentación, convertidores dc-dc (incluido el punto de carga), gestión de baterías y control de motores.

La hoja de datos TDGD27x está aquí y la página del producto está aquí. Este último también menciona TD99102, una pieza de 20 V no aislada de doble canal de 100 MHz en trámite.