TDGD271 là trình điều khiển kênh đơn trong 8pad SOIC, trong khi TDGD274 là trình điều khiển kênh đôi trong 16pad SOIC.
“Các thiết bị thuộc dòng TDGD27x lý tưởng cho việc cách ly mosfet, IGBTvà các ứng dụng ổ đĩa cổng SiC hoặc GaN HEMT, bao gồm cả việc điều khiển dòng GaN HEMTs TDG của Teledyne HiRel,” theo công ty. “Kích thước nhỏ và phạm vi nhiệt độ rộng khiến chúng trở nên độc đáo.”
Đối với nhu cầu sử dụng cao, chúng có sẵn với 100% sàng lọc và từ một lô khuếch tán, và được vận chuyển từ cơ sở được DoD đáng tin cậy của Teledyne ở California.
Phiên bản kép bao gồm các mạch chống chồng chéo cho phép một dạng sóng PWM duy nhất điều khiển cả bóng bán dẫn trên và dưới trong một nửa cầu - thời gian chết có thể điều chỉnh trong 10-200ns. Đầu vào tương thích TTL với độ trễ> 400mV và có khóa điện áp dưới 3V trên nguồn cung cấp logic phía đầu vào.
Các đầu ra cô lập cần một nguồn điện riêng, có thể được cung cấp bằng cách đóng đai khởi động cho kênh trên của nửa cầu.
Bên trong, hàng rào cách ly là một Semiconductor loại, với tín hiệu bật-tắt được điều chế trên sóng mang RF trước khi giao nhau. Độ trễ lan truyền tối đa 60ns được xác nhận cùng với hiện tượng chập chờn từ đỉnh đến đỉnh 200ps.
“Sơ đồ khóa bật / tắt RF này vượt trội hơn so với sơ đồ mã xung vì nó cung cấp khả năng chống nhiễu, tiêu thụ điện năng thấp và khả năng miễn nhiễm với từ trường tốt hơn,” theo công ty - mặc dù tính năng miễn nhiễm từ không được nêu rõ trong bảng dữ liệu.
Những gì được chỉ định là khả năng miễn nhiễm về điện: 200kV / µs chế độ thông thường thoáng qua và 400kV / µs chốt.
Khe hở và độ rò rỉ lần lượt là 4.7 và 3.9mm, và độ hở bên trong tối thiểu là 8μm.
Hoạt động dự kiến lên đến 1MHz, trong các ứng dụng bao gồm nguồn điện, bộ chuyển đổi dc-dc (bao gồm điểm tải), quản lý pin và điều khiển động cơ.
Bảng dữ liệu TDGD27x ở đây và trang sản phẩm ở đây. Phần sau cũng đề cập đến TD99102, một phần 20V không bị cô lập kênh đôi 100MHz trong đường ống.