TDGD271, 8pad SOIC'de tek kanallı bir sürücüdür, TDGD274 ise 16pad SOIC'de çift kanallı bir sürücüdür.
"TDGD27x ailesindeki cihazlar izole edilmiş uygulamalar için idealdir mosfet, IGBTve Teledyne HiRel'in TDG GaN HEMT ailesinin çalıştırılması da dahil olmak üzere SiC veya GaN HEMT geçit sürücüsü uygulamaları." "Küçük boyutları ve geniş sıcaklık aralıkları onları benzersiz kılıyor."
Zorlu kullanımlar için %100 taramalı olarak ve tek bir dağıtım lotundan temin edilebilirler ve Teledyne'in Kaliforniya'daki Savunma Bakanlığı'nın güvendiği tesisinden gönderilirler.
İkili versiyon, tek bir PWM dalga biçiminin yarım köprüde hem üst hem de alt transistörleri sürmesine olanak tanıyan örtüşme önleyici devreler içerir; ölü zaman 10-200ns arasında ayarlanabilir. Girişler >400mV histerezis ile TTL uyumludur ve giriş tarafı mantık kaynağında 3V düşük voltaj kilitlemesi vardır.
Yalıtılmış çıkışlar, yarım köprünün üst kanalı için önyüklemeyle beslenebilecek ayrı bir güç kaynağına ihtiyaç duyar.
İçeride izolasyon bariyeri bir Yarıiletken geçişten önce bir RF taşıyıcısına modüle edilen açma-kapama sinyalleri ile tip. 60ps tepeden tepeye titreşimle birlikte 200ns maksimum yayılma gecikmesi talep ediliyor.
Şirkete göre "Bu RF açma/kapama anahtarlama şeması, gürültü bağışıklığı, düşük güç tüketimi ve manyetik alanlara karşı daha iyi bağışıklık sağladığından darbe kod şemalarından daha üstündür." - ancak manyetik bağışıklık veri sayfasında belirtilmemiştir.
Belirtilen elektriksel bağışıklıktır: 200kV/μs ortak mod geçici ve 400kV/μs mandallama.
Açıklık ve kaçak sırasıyla 4.7 ve 3.9 mm'dir ve minimum iç açıklık 8 μm'dir.
Güç kaynakları, DC-DC dönüştürücüler (yük noktası dahil), pil yönetimi ve motor kontrolü gibi uygulamalarda 1MHz'e kadar çalışma öngörülüyor.
TDGD27x veri sayfası burada, ürün sayfası ise burada. İkincisi ayrıca boru hattındaki 99102MHz çift kanallı yalıtımsız 20V parçası olan TD100'den de bahsediyor.