#BSM50GB170DN2 Infineon BSM50GB170DN2 Nuevo 50A / 1700V /IGBT/2U;Módulos IGBT 1700V 50A 500W MEDIO PUENTE, imágenes BSM50GB170DN2, precio BSM50GB170DN2, proveedor #BSM50GB170DN2
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Correo electrónico: sales@shunlongwei.com
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BSM50GB170DN2
Fabricante: Infineon
Categoria de nuestros producto: Módulos IGBT
RoHS: Si
Marca: Infineon Technologies
Producto: Módulos de silicio IGBT
Configuración: Medio puente
Colector- Emisor voltaje VCEO máx.: 1700 V
Voltaje de saturación colector-emisor: 3.4 V
Corriente continua del colector a 25 C: 72 A
Corriente de fuga puerta-emisor: 320 na
Pd - Disipación de energía: 500 W
Paquete / Estuche: Medio Puente1
Temperatura máxima de funcionamiento: + 150C
Embalaje: Bandeja
Voltaje máximo del emisor de puerta: 20 V
Temperatura de funcionamiento mínima: - 40 C
Estilo de montaje: Tornillo
Cantidad de paquete de fábrica: 10
50A / 1700V / IGBT / 2U; Módulos IGBT 1700V 50A 500W MEDIO PUENTE
Shunlongwei inspeccionó cada BSM50GB170DN2 antes del envío, todos los BSM50GB170DN2 con 6 meses de garantía.