#БСМ50ГБ170ДН2 Infineon BSM50GB170DN2 Новый 50A / 1700V /IGBT/2U; Модули IGBT 1700 В, 50 А, 500 Вт ПОЛУМОСТ, изображения BSM50GB170DN2, цена BSM50GB170DN2, #BSM50GB170DN2 поставщик
-----------------------
Электронная почта: sales@shunlongwei.com
-----------------------
Электронная почта: sales@shunlongwei.com
-----------------------
БСМ50ГБ170ДН2
Производитель: Infineon
Категория продукта: IGBT Модули
RoHS: ДА
Бренд: Infineon Technologies
Product: Кремниевые модули IGBT
Конфигурация: Половина моста
Коллектор-эмиттер напряжение VCEO Макс: 1700 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер: 3.4 V
Постоянный ток коллектора при 25 C: 72
Ток утечки затвор-эмиттер: 320 нА
Pd - Рассеиваемая мощность: 500 W
Пакет / Дело: Половина моста1
Максимальная рабочая температура: + 150 С
Упаковка: Лоток
Максимальное напряжение затвор-эмиттер: 20 V
Минимальная рабочая температура: - 40 С
Вид монтажа: Винт
Количество в упаковке: 10
50A / 1700V / IGBT / 2U; модули IGBT 1700V 50A 500W HALF-BRIDGE
Shunlongwei проверил все BSM50GB170DN2 перед отправкой, все BSM50GB170DN2 с 6-месячной гарантией.