#BSM50GB170DN2 Infineon BSM50GB170DN2 Nuovo 50A / 1700V /IGBT/2U;Moduli IGBT 1700V 50A 500W HALF-BRIDGE, immagini BSM50GB170DN2, prezzo BSM50GB170DN2, fornitore #BSM50GB170DN2
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E-mail: sales@shunlongwei.com
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BSM50GB170DN2
Produttore: Infineon
Categoria Del Prodotto: Moduli IGBT
RoHS: SI
Marca: Infineon Technologies
Prodotti: Moduli IGBT in silicone
Configurazione: Mezzo ponte
Collettore-Emettitore voltaggio VCEO massimo: 1700 V
Tensione di saturazione collettore-emettitore: 3.4 V
Corrente continua del collettore a 25 C: Il 72
Corrente di dispersione gate-emettitore: 320 n.a
Pd - Dissipazione di potenza: 500 W
Pacchetto / caso: Mezzo ponte 1
Temperatura operativa massima: + 150 Do
Packaging: Vassoio
Tensione Gate Emitter Massima: 20 V
Temperatura operativa minima: - 40 C
Stile di montaggio: Vite
Quantità confezione di fabbrica: 10
50A / 1700V / IGBT / 2U; Moduli IGBT 1700V 50A 500W HALF-BRIDGE
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