#BSM50GB170DN2 Infineon BSM50GB170DN2 50A / 1700V / mớiIGBT/2U;Mô-đun IGBT 1700V 50A 500W HALF-BRIDGE , hình ảnh BSM50GB170DN2, giá BSM50GB170DN2, #BSM50GB170DN2 nhà cung cấp
-----------------------
Email: sales@shunlongwei.com
-----------------------
Email: sales@shunlongwei.com
-----------------------
BSM50GB170DN2
Nhà chế tạo: Infineon
Danh Mục Sản Phẩm: Mô-đun IGBT
RoHS: CÓ
Nhãn hiệu: Công nghệ Infineon
Sản phẩm: Mô-đun silicon IGBT
Cấu hình: Cầu nửa chừng
Bộ sưu tập- Bộ phát Vôn VCEO Tối đa: 1700 V
Điện áp bão hòa của bộ thu-phát: 3.4 V
Bộ thu liên tục hiện tại ở 25 C: Các 72
Cổng rò rỉ hiện tại: 320nA
Pd - Tiêu tán công suất: 500 W
Gói / Vỏ: Nửa Cầu1
Nhiệt độ hoạt động tối đa: + 150c
Bao bì: Khay
Điện áp phát cổng tối đa: 20 V
Nhiệt độ hoạt động tối thiểu: - 40 C
Gắn Kiểu: Đinh ốc
Số lượng nhà máy sản xuất: 10
50A / 1700V / IGBT / 2U; Mô-đun IGBT 1700V 50A 500W NỬA-CẦU
Shunlongwei đã kiểm tra mọi BSM50GB170DN2 trước khi xuất xưởng, tất cả BSM50GB170DN2 với bảo hành 6 tháng.