Infineon amplía la familia CoolMOS S600 de 7 V

Infineon Technologies está mejorando la familia CoolMOS S600 de 7 V con dos dispositivos optimizados para aplicaciones de conmutación estática: el CoolMOS S7 de 10 mΩ de grado industrial y el CoolMOS S7A de grado automotriz.

El CoolMOS S7 10 mΩ tiene una baja resistencia única (R DS (encendido)) para superjunción de 600 V mosfets, lo que lo hace adecuado para aplicaciones donde las pérdidas de conducción mínimas son críticas, como los relés de estado sólido (SSR) disponibles en el mercado. Por el contrario, el CoolMOS S7A de grado automotriz aborda los requisitos de rendimiento del sistema establecidos por los disyuntores de estado sólido (SSCB) y la conexión en paralelo / reemplazo de diodos para diseños de alta potencia / rendimiento en aplicaciones automotrices, como el High voltaje (HV) eFUSE, HV eDisconnect interruptor de desconexión de batería, así como cargadores integrados.

La familia de productos se ha desarrollado optimizando el CoolMOS 7 la tecnología plataforma. Para lograr esto, el dispositivo se ha mejorado para conmutación estática y aplicaciones de alta corriente.

Los chips CoolMOS S7 10 mΩ y CoolMOS S7A vienen con el R DS (encendido) más bajo del mercado y el mejor R DS (encendido) x A x costo de su clase. Además, se han integrado en un innovador paquete QDPAK SMD refrigerado por el lado superior (TSC), que ofrece un excelente comportamiento térmico, lo que lo convierte en una alternativa más pequeña a los dispositivos THD como TO-247.

Además, al pasar de THD a un dispositivo de montaje en superficie con QDPAK, se puede lograr una reducción de la altura del 94 por ciento, lo que permite soluciones de mayor densidad de potencia.

Con las bajas pérdidas de conducción del CoolMOS S7 10 mΩ y el CoolMOS S7A, los diseñadores pueden limitar el tamaño de los disipadores de calor hasta en un 80 por ciento y extender las clasificaciones de corriente y voltaje sin alterar el factor de forma.