Infineon mengembangkan keluarga 600 V CoolMOS S7

Infineon Technologies meningkatkan keluarga CoolMOS S600 7 V dengan dua peranti yang dioptimumkan untuk aplikasi peralihan statik: CoolMOS S7 10 mΩ kelas industri dan CoolMOS S7A kelas automotif.

CoolMOS S7 10 mΩ mempunyai rintangan rendah rendah yang unik (R DS (on)) untuk superjungsi 600 V mosfet, menjadikannya sesuai untuk aplikasi di mana kerugian konduksi minimum sangat penting, seperti relay keadaan pepejal (SSR) di luar rak. Sebaliknya, CoolMOS S7A kelas automotif menangani keperluan prestasi sistem yang ditetapkan oleh pemutus litar keadaan pepejal (SSCB) dan selari / penggantian diod untuk reka bentuk daya / prestasi tinggi dalam aplikasi automotif, seperti High voltan (HV) eFUSE, suis pemutus bateri HV eDisconnect, dan juga pengecas on-board.

Keluarga produk telah dibangunkan dengan mengoptimumkan CoolMOS 7 teknologi platform. Untuk mencapai matlamat ini, peranti telah dipertingkatkan untuk pensuisan statik dan aplikasi arus tinggi.

Cip CoolMOS S7 10 mΩ dan CoolMOS S7A hadir dengan R DS (on) terendah di pasaran dan kos R DS (on) kelas terbaik x A x. Selain itu, mereka telah disatukan ke dalam pakej QDPAK SMD top-side cooled (TSC) inovatif, yang menawarkan tingkah laku terma yang sangat baik, menjadikannya alternatif yang lebih kecil daripada peranti THD seperti TO-247.

Lebih-lebih lagi, dengan beralih dari THD ke perangkat yang dipasang di permukaan dengan QDPAK, pengurangan ketinggian 94 persen dapat dicapai, yang memungkinkan penyelesaian kepadatan daya yang lebih tinggi.

Dengan kehilangan konduksi CoolMOS S7 10 mΩ dan CoolMOS S7A yang rendah, pereka dapat menghadkan ukuran sink haba hingga 80 peratus dan memperluas penilaian arus dan voltan tanpa mengubah faktor bentuk.