Infineon расширяет семейство 600 В CoolMOS S7

Infineon Technologies расширяет семейство 600 В CoolMOS S7 двумя устройствами, оптимизированными для статических коммутационных приложений: CoolMOS S7 10 мОм промышленного уровня и CoolMOS S7A автомобильного уровня.

CoolMOS S7 10 мОм имеет уникальное низкое сопротивление в открытом состоянии (R DS (on)) для сверхперехода 600 В. МОП-транзисторы, что делает его пригодным для приложений, в которых критичны минимальные потери проводимости, таких как стандартные твердотельные реле (SSR). Напротив, CoolMOS S7A автомобильного класса отвечает требованиям к производительности системы, установленным твердотельными автоматическими выключателями (SSCB) и параллельным подключением / заменой диодов для конструкций с высокой мощностью / характеристиками в автомобильных приложениях, таких как High напряжение (HV) eFUSE, выключатель аккумуляторной батареи HV eDisconnect, а также бортовые зарядные устройства.

Семейство продуктов было разработано путем оптимизации CoolMOS 7. technology Платформа. Для достижения этой цели устройство было усовершенствовано для статического переключения и сильноточных приложений.

Чипы CoolMOS S7 10 мОм и CoolMOS S7A имеют самый низкий R DS (on) на рынке и лучшую в своем классе стоимость R DS (on) x A x. Кроме того, они были интегрированы в инновационный SMD-корпус QDPAK с верхним охлаждением (TSC), который обеспечивает отличные тепловые характеристики, что делает его меньшей альтернативой устройствам THD, таким как TO-247.

Более того, при переходе от THD к устройству поверхностного монтажа с QDPAK может быть достигнуто уменьшение высоты на 94%, что позволяет получить решения с более высокой плотностью мощности.

Благодаря низким потерям проводимости CoolMOS S7 10 мОм и CoolMOS S7A разработчики могут ограничить размер радиаторов до 80 процентов и увеличить номинальные токи и напряжения без изменения форм-фактора.