Infineon espande la famiglia CoolMOS S600 da 7 V

Infineon Technologies sta potenziando la famiglia CoolMOS S600 da 7 V con due dispositivi ottimizzati per applicazioni di commutazione statica: CoolMOS S7 10 mΩ di livello industriale e CoolMOS S7A di livello automobilistico.

CoolMOS S7 10 mΩ ha un'esclusiva bassa resistenza on (R DS (on)) per la supergiunzione a 600 V mosfet, rendendolo adatto per applicazioni in cui le perdite minime di conduzione sono critiche, come i relè a stato solido (SSR) standard. Al contrario, il CoolMOS S7A di livello automobilistico soddisfa i requisiti di prestazioni del sistema stabiliti dagli interruttori di circuito a stato solido (SSCB) e il collegamento in parallelo / sostituzione di diodi per progetti ad alta potenza / prestazioni in applicazioni automobilistiche, come l'High voltaggio (HV) eFUSE, interruttore di scollegamento della batteria eDisconnect HV, nonché caricabatterie a bordo.

La famiglia di prodotti è stata sviluppata ottimizzando CoolMOS 7 la tecnologia piattaforma. Per raggiungere questo obiettivo, il dispositivo è stato migliorato per la commutazione statica e le applicazioni ad alta corrente.

I chip CoolMOS S7 10 mΩ e CoolMOS S7A sono dotati del più basso R DS (attivo) sul mercato e del miglior prezzo R DS (attivo) x A x. Inoltre, sono stati integrati in un innovativo pacchetto QDPAK SMD raffreddato sul lato superiore (TSC), che offre un eccellente comportamento termico, rendendolo un'alternativa più piccola ai dispositivi THD come TO-247.

Inoltre, passando da THD a un dispositivo a montaggio superficiale con QDPAK, è possibile ottenere una riduzione dell'altezza del 94%, consentendo soluzioni a densità di potenza più elevata.

Con le basse perdite di conduzione di CoolMOS S7 10 mΩ e CoolMOS S7A, i progettisti possono limitare le dimensioni dei dissipatori di calore fino all'80% ed estendere i valori di corrente e tensione senza alterare il fattore di forma.