“MitsubishiCM800DU-12H IGBT Módulo: Especificaciones, características y detalles de rendimiento para aplicaciones de alta potencia”
CM800DU-12H Especificaciones:
- Temperatura de unión (Tj): -40 a 150°C
- Temperatura de almacenamiento (Tstg): -40 a 125°C
- Voltaje colector-emisor (G-E CORTO) (VCES): 600 voltios
- Voltaje puerta-emisor (C-E CORTO) (VGES): ±20 voltios
- Corriente del colector (Tc = 25°C) (IC): 800 Amperios
- Corriente máxima de colector (ICM): 1600* amperios
- Corriente del emisor (Tc = 25°C) (IE): 800 Amperios
- Corriente máxima del emisor (IEM): 1600* amperios
- Disipación máxima del colector (Tc = 25°C, Tj≤ 150°C) (Pc): 1500 Watts
- Par de montaje, terminal principal M8: 95 in-lb
- Par de montaje, montaje M6: 40 in-lb
- Terminal G(E), M4: 15 pulgadas-libra
- Peso: 1200 Gramos
- Voltaje de aislamiento (terminal principal a placa base, CA 1 min.) (Viso): 2500 voltios