“미츠비시 CM800DU-12H IGBT 모듈: 고전력 애플리케이션의 사양, 기능 및 성능 세부 정보”
CM800DU-12H 사양:
- 접합 온도(Tj): -40~150°C
- 보관 온도(Tstg): -40 ~ 125°C
- 콜렉터-이미터 전압(G-E SHORT)(VCES): 600볼트
- 게이트-이미터 전압(C-E SHORT)(VGES): ±20볼트
- 컬렉터 전류(Tc = 25°C)(IC): 800A
- 피크 콜렉터 전류(ICM): 1600* 암페어
- 이미터 전류(Tc = 25°C)(IE): 800A
- 피크 이미터 전류(IEM): 1600* 암페어
- 최대 컬렉터 손실(Tc = 25°C, Tj≤ 150°C)(Pc): 1500W
- 장착 토크, M8 메인 터미널 : 95 in-lb
- 장착 토크, M6 장착 : 40 in-lb
- G(E) 터미널, M4: 15in-lb
- 무게 : 1200 그램
- 절연 전압(메인 터미널에서 베이스플레이트까지, AC 1분)(Viso): 2500볼트