„Mitsubishi CM800DU-12H IGBT Modul: Spezifikationen, Funktionen und Leistungsdetails für Hochleistungsanwendungen“
CM800DU-12H Spezifikationen:
- Sperrschichttemperatur (Tj): -40 bis 150 °C
- Lagertemperatur (Tstg): -40 bis 125 °C
- Kollektor-Emitter-Spannung (G-E SHORT) (VCES): 600 Volt
- Gate-Emitter-Spannung (C-E SHORT) (VGES): ±20 Volt
- Kollektorstrom (Tc = 25 °C) (IC): 800 Ampere
- Spitzenkollektorstrom (ICM): 1600* Ampere
- Emitterstrom (Tc = 25 °C) (IE): 800 Ampere
- Spitzenemitterstrom (IEM): 1600* Ampere
- Maximale Kollektorverlustleistung (Tc = 25 °C, Tj≤ 150 °C) (Pc): 1500 Watt
- Montagemoment, Hauptanschluss M8: 95 in-lb
- Montagemoment, M6 Montage: 40 in-lb
- G(E)-Anschluss, M4: 15 in-lb
- Gewicht: 1200 Grams
- Isolationsspannung (Hauptklemme zur Grundplatte, Wechselstrom 1 Min.) (Viso): 2500 Volt