Raytheon y Globalfoundries anuncian colaboración 5G GaN

Raytheon Technologies y Globalfoundries (GF) colaborarán en el desarrollo y comercialización de un nuevo nitruro de galio sobre silicio (GaN-on-Si) Semiconductores.

Según las dos empresas este nuevo semiconductor ofrecerá un rendimiento de radiofrecuencia "revolucionario" para aplicaciones 5G y 6G.

Raytheon Technologies licenciará su nitruro de galio patentado sobre silicio la tecnología y experiencia técnica a GF, que desarrollará el nuevo semiconductor en sus instalaciones Fab 9 en Burlington, Vermont.

El nitruro de galio es un material único que se utiliza para construir semiconductores de alto rendimiento que pueden administrar niveles significativos de calor y potencia, lo que los hace adecuados para manejar señales inalámbricas 5G y 6G, que requieren niveles de rendimiento más altos que los sistemas inalámbricos heredados.

Combinada con las capacidades de fabricación y servicio de GF en RF, pruebas y empaque, la nueva oferta de GaN aumentará el rendimiento de RF mientras mantiene los costos operativos y de producción y, según Globalfoundries, permitirá a los clientes alcanzar nuevos niveles de energía y eficiencia de energía agregada para Cumplir con los estándares de frecuencia operativa de onda mm RF 5G y 6G en evolución.

Esta colaboración es la última de varias alianzas estratégicas anunciadas por GF y se ve como otro ejemplo de los esfuerzos de la compañía para ofrecer soluciones diferenciadas en un momento en que el resto de la industria persigue un escalado tecnológico más tradicional y cada vez más difícil.