Raytheon et Globalfoundries annoncent leur collaboration 5G GaN

Raytheon Technologies et Globalfoundries (GF) vont collaborer au développement et à la commercialisation d'un nouveau nitrure de gallium sur silicium (GaN-on-Si) Semi-conducteurs.

Selon les deux sociétés, ce nouveau semi-conducteur offrira des performances de fréquence radio « révolutionnaires » pour les applications 5G et 6G.

Raytheon Technologies accordera une licence pour son nitrure de gallium exclusif sur silicium sans souci et une expertise technique à GF, qui développera le nouveau semi-conducteur dans son usine Fab 9 à Burlington, Vermont.

Le nitrure de gallium est un matériau unique utilisé pour construire des semi-conducteurs hautes performances capables de gérer des niveaux de chaleur et de puissance importants, ce qui les rend adaptés à la gestion des signaux sans fil 5G et 6G, qui nécessitent des niveaux de performance plus élevés que les systèmes sans fil traditionnels.

Combinée aux capacités de fabrication et de service de GF en RF, en test et en emballage, la nouvelle offre GaN augmentera les performances RF tout en maintenant les coûts de production et d'exploitation et permettra, selon Globalfoundries, aux clients d'atteindre de nouveaux niveaux de puissance et d'efficacité énergétique supplémentaire pour répondre aux normes évolutives de fréquence de fonctionnement des ondes mm RF 5G et 6G.

Cette collaboration est le dernier de plusieurs partenariats stratégiques annoncés par GF et est considérée comme un autre exemple des efforts de l'entreprise pour fournir des solutions différenciées à un moment où le reste de l'industrie poursuit une mise à l'échelle technologique plus traditionnelle et de plus en plus difficile.