Raytheon e Globalfoundries anunciam colaboração 5G GaN

Raytheon Technologies e Globalfoundries (GF) devem colaborar no desenvolvimento e comercialização de um novo nitreto de gálio em silício (GaN-on-Si) Semicondutores.

Segundo as duas empresas este novo Semicondutor proporcionará um desempenho de radiofrequência “revolucionário” para aplicações 5G e 6G.

Raytheon Technologies licenciará seu nitreto de gálio proprietário em silício tecnologia e conhecimento técnico para a GF, que desenvolverá o novo semicondutor em suas instalações Fab 9 em Burlington, Vermont.

O nitreto de gálio é um material exclusivo usado para construir semicondutores de alto desempenho que podem gerenciar níveis significativos de calor e energia, tornando-os adequados para lidar com sinais sem fio 5G e 6G, que exigem níveis de desempenho mais elevados do que os sistemas sem fio legados.

Combinado com as capacidades de fabricação e serviço da GF em RF, testes e embalagens, a nova oferta de GaN aumentará o desempenho de RF, mantendo os custos operacionais e de produção e, de acordo com a Globalfoundries, permitirá que os clientes atinjam novos níveis de potência e eficiência agregada para atender aos padrões de frequência operacional de ondas mm RF 5G e 6G em evolução.

Esta colaboração é a mais recente de várias parcerias estratégicas anunciadas pela GF e está sendo vista como mais um exemplo dos esforços da empresa para entregar soluções diferenciadas em um momento em que o resto da indústria está buscando um escalonamento de tecnologia mais tradicional e cada vez mais difícil.